[发明专利]基于硅工艺的三维结构TM010-λ/4毫米波谐振器

权利要求书

1.一种基于硅工艺的三维结构TM010-λ/4毫米波谐振器，其特征在于：该 谐振器由硅基片层上的两个以上有源电路(1)，封装层上与有源电路(1)相应个数 的λ/4谐振器(2)，金属圆柱(3)，工作在TM010模的包括第一导电金属板(4a)、 圆柱波导(4b)和第二导电金属板(4c)构成的圆柱波导谐振器(4)和用于功率输出 的矩形波导(5)组成；每个有源电路(1)的两个输出端a、b与对应λ/4谐振器(2) 的两个开路端在硅基片层与封装层交界处进行连接，每个λ/4谐振器(2)的两个 短路端与圆柱波导谐振器(4)在第一导电金属板(4a)上连接，通过第一导电金属板 (4a)上的槽缝(6)实现能量耦合，矩形波导(5)装配在第一、第二导电金属板(4a、 4c)之间，矩形波导(5)的一个矩形壁和圆柱波导(4b)外壁相交，相交的公共部分 去除以实现矩形波导(5)和圆柱波导(4b)的能量耦合。

2.根据权利要求1所述的一种基于硅工艺的三维结构TM010-λ/4毫米波谐 振器，其特征在于：所述的有源电路(1)为反相器对有源电路。

3.根据权利要求1所述的一种基于硅工艺的三维结构TM010-λ/4毫米波谐 振器，其特征在于：所述的有源电路(1)为交叉耦合对有源电路。

4.根据权利要求1所述的一种基于硅工艺的三维结构TM010-λ/4毫米波谐 振器，其特征在于：所述的有源电路(1)个数视输出功率而定，输出功率越大个 数越多。