[发明专利]一种优序法的GPP芯片腐蚀方法

说明书

技术领域

本发明涉及GPP芯片的生产工艺，尤其是涉及生产工艺中的GPP芯片开沟腐蚀工艺。

背景技术

GPP(Glass passivation powder)是指对芯片表面用玻璃粉进行钝化，起到的作用是保护芯片的电路。它首先需要在芯片表面划沟槽，划沟槽可以采用腐蚀的方法，然后在沟槽中涂玻璃粉，进行钝化。

目前的GPP开沟腐蚀工艺方法存在如下缺点：腐蚀过程中，随着腐蚀液腐蚀处理GPP芯片的次数增加，使腐蚀液的化学组分的比例发生了变化，腐蚀液的腐蚀能力变弱。导致前后腐蚀出的GPP沟槽形状不一致，导致GPP芯片的导流能力和耐压性能减弱，特别是其封装为大的功率器件后的长期可靠性降低。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种优序法的GPP芯片腐蚀方法，解决GPP开沟腐蚀过程中产品前后不一致而产生的终端功率器件的长期可靠性问题。为此本发明采用以下技术方案：它在沟槽腐蚀时采用以下步骤：

1).顺序法和倒序法交替使用进行开沟腐蚀：

1-1).将芯片按顺序分成N架，N为大于1的自然数；

1-2).将第1架芯片放入酸槽中进行第一次开沟，完毕后，取出第1架芯片，按此步骤，按顺序分别将后续各架芯片放入酸槽中进行第一次开沟，直至第N架芯片第一次开沟完毕后；

1-3).将第N架芯片旋转90度，在酸槽中进行第二次开沟，完毕后，取出第N架芯片，按此步骤，按倒序分别将后续各架芯片放入酸槽中进行第二次开沟，直至第1架芯片第二次开沟完毕后；

1-4).将第1架芯片继续旋转90度，在酸槽中进行第三次开沟，完毕后，取出第1架芯片，按此步骤，按顺序分别将后续各架芯片放入酸槽中进行第三次开沟，直至第N架芯片第三次开沟完毕后；

1-5).将第N架芯片继续旋转90度，在酸槽中进行第四次开沟，完毕后，取出第N架芯片，按此步骤，按倒序分别将后续各架芯片放入酸槽中进行第四次开沟，直至第1架芯片第四次开沟完毕后；

2).将所有芯片按沟深分档，分成M架，分别放入酸槽中开沟至要求深度，M为大于1的自然数，M与N相等或不等。

本发明利用顺序和倒序交叉使用的优序方法，并配合以最后的分档加开步骤，有效地消除了传统开沟因采用顺序法、连续腐蚀导致腐蚀液比例变化而腐蚀能力变化，进而导致GPP产品前后生产中出现的沟槽宽度和深度的不一致的问题，使GPP沟槽在开沟腐蚀过程中保证一致的、均匀的沟槽宽度和深度，能够提高生产过程中的产品合格率并能够改善槽形，提高封装后功率产品可靠性。

附图说明

图1为采用本发明进行开沟，在开沟结束后第一架芯片和第10架芯片的开沟对照图。

图2为实施例1的各架芯片开沟的记录表，其中，时间栏中所记录的是第二阶段的开沟时间，深度的单位为um。

图3为实施例2的各架芯片开沟的记录表，其中，深度的单位为um。

具体实施方式

实施例1(采用的酸液，时间)

首先对芯片进行预处理：在烘箱中，升温至130℃，控温在125℃-135℃，对芯片进行预烘烤，时间为15分钟，以到芯片表面没有水汽为准，然后自然冷却至室温，预处理的作用是：使芯片在进入酸槽时性质一致。

每批芯片的数量为500片，开沟采用25片铁氟龙篮，酸槽可同时开沟两篮(50片)，故，每批芯片分10架，按顺序标识第1架至第10架，同时做好方向记号。酸槽中的酸液可采用常规的开沟酸液，比如：5525(即5份氢氟酸、5份硝酸、2份冰醋酸、5份硫酸的混合酸，以上为体积份)

开沟分两个阶段，第一阶段对芯片进行顺序法和倒序法开沟，本发明中，所述顺序法和倒序法是指对芯片批次进行标号，标号后先按照顺序法对芯片进行腐蚀，腐蚀后再采用倒序对芯片进行腐蚀，依次共进行四次，在顺倒序进行腐蚀的同时还进行4次不同方向的旋转，具体步骤为：

将第1架芯片放入酸槽中进行第一次开沟，完毕后，从酸槽中取出第1架芯片，按此步骤，按顺序法，即依次将后续第2架、第3架……第9架芯片放入酸槽中进行第一次开沟，待第9架第一次开沟结束被取出后，在酸槽中放入第10架芯片，对其第一次开沟，在第一次开沟时，上述的方向记号朝上。