[发明专利]一种功率器件的散热结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200910100292.5 申请日: 2009-06-29
公开(公告)号: CN101599471A 公开(公告)日: 2009-12-09
发明(设计)人: 刘勇;梁利华 申请(专利权)人: 浙江工业大学
主分类号: H01L23/473 分类号: H01L23/473;H01L23/367;H01L21/48;H01L21/50
代理公司: 杭州天正专利事务所有限公司 代理人: 王 兵;王利强
地址: 310032*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 功率 器件 散热 结构 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种功率器件的散热结构,其特征在于:所述功率器件散热结构包 括漏极金属层与金属覆盖层,所述漏极金属层沉积在功率裸晶圆片背 面上,金属覆盖层设有纵向与横向贯穿的微型沟道,微型沟道设置有 冷却液的进口和出口,金属覆盖层与漏极金属层键合焊接。

2.如权利要求1所述的功率器件的散热结构,其特征在于:所述微型 沟道通过蚀刻方法在金属覆盖层上形成。

3.一种如权利要求1所述的功率器件的散热结构的制造方法,其特征 在于:所述制造方法包括以下步骤:

(1)、将功率裸晶圆片置于第一载体上,功率裸晶圆片背面朝上;

(2)、对功率裸晶圆片背部进行研磨,并进行背面金属化处理,形成 漏极;

(3)、将与功率裸晶圆片纵、横向尺寸相同的金属圆片置于第二载体 上,在所述金属圆片上蚀刻出纵向与横向贯穿的微型沟道,最后蚀刻 出冷却液的进口和出口;

(4)、将金属化后的功率裸晶圆片翻转过来,并与完成微型沟道制作 的金属圆片进行键合焊接;

(5)、去除第一载体和第二载体,切割键合后的晶圆片,完成功率器 件的散热结构的安装。

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