[发明专利]绝缘栅双极型晶体管集成快恢复二极管制作方法有效
| 申请号： | 200910100775.5 | 申请日： | 2009-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN101640186A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | 屈志军;曾祥 | 申请（专利权）人： | 无锡凤凰半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8222 | 分类号： | H01L21/8222;H01L21/329;H01L21/20;H01L21/265 |
| 代理公司： | 杭州裕阳专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 江助菊 |
| 地址： | 214000江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘 栅双极型 晶体管 集成 恢复 二极管 制作方法 | ||
1.一种绝缘栅双极型晶体管集成快恢复二极管制作方法，其特征在于：首先在衬底表面做IGBT集电极；接着在衬底表面生长N-外延膜；随后在生长的N-外延膜上做IGBT正面图形；接着再进行衬底背面研磨，背面研磨到集电极区为止，最后在衬底背面蒸镀金属膜。
2.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管集成快恢复二极管制作方法，其特征在于：在衬底表面做IGBT集电极是指在N+衬底表面进行浓P+型离子注入。
3.如权利要求2所述的绝缘栅双极型晶体管集成快恢复二极管制作方法，其特征在于：背面研磨到浓P+型区为止，使得衬底背面形成P+区与N+区相间的结构。
4.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管集成快恢复二极管制作方法，其特征在于：在衬底表面做IGBT集电极是指在P+衬底表面进行浓N+型离子注入。
5.如权利要求4所述的绝缘栅双极型晶体管集成快恢复二极管制作方法，其特征在于：背面研磨到浓N+型区为止，使得衬底背面形成P+区与N+区相间的结构。
6.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管集成快恢复二极管制作方法，其特征在于：在衬底表面做IGBT集电极是指将P+衬底表面蚀刻后在蚀刻的位置处生长浓N+型外延膜。
7.如权利要求6所述的绝缘栅双极型晶体管集成快恢复二极管制作方法，其特征在于：背面研磨到浓N+型区为止，使得衬底背面形成P+区与N+区相间的结构。
8.如权利要求1至7任一项所述的绝缘栅双极型晶体管集成快恢复二极管 制作方法，其特征在于：在N-外延膜上做IGBT正面图形的步骤如下：在N-外延膜上进行低浓度的N-离子注入；接着进行栅氧化；在栅氧化层上沉淀多晶硅；接着进行多晶硅光刻；再在光刻区域进行高浓度的p+离子注入；接着进行扩散；随后在光刻区进行浓N+离子注入；接着再进行扩散；随后进行引线孔光刻以及正面蒸镀金属膜。
9.如权利要求8所述的绝缘栅双极型晶体管集成快恢复二极管制作方法，其特征在于：浓N+离子注入以后形成的N+阱区位于高浓度的p+离子注入形成的p+阱区与栅氧化层的最下层之间，p+阱区位于N-外延膜与N+阱区之间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
