[发明专利]绝缘栅双极型晶体管无效
| 申请号： | 200910101804.X | 申请日： | 2009-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN101667593A | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | 屈志军;曾祥 | 申请（专利权）人： | 无锡凤凰半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 杭州裕阳专利事务所（普通合伙） | 代理人： | 江助菊 |
| 地址： | 214000江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘 栅双极型 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1、一种绝缘栅双极型晶体管，其包括在N-衬底表面进行低浓度的N-离子注入形成的衬底，形成在衬底表面的栅极氧化层，淀积在栅极氧化层上的多晶硅栅极，形成在栅极氧化层与N-衬底之间的p+阱区及位于p+阱区与栅极氧化层之间的N+阱区，位于N-衬底下方的背面注入区，位于注入区下方的集电极及位于栅极氧化层上方的发射极，其特征在于：在栅极氧化层下方的N-型衬底上增加了一个浓P型阱区。
2、如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：所述浓P型阱区位于栅极氧化层正中央下方，形成在多晶硅光刻后的多晶硅栅下方的衬底内。
3、如权利要求1或2所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：所述p+阱区由高浓度的p+离子注入形成在对多晶硅光刻后的光刻区域内以及多晶硅栅下方的N-衬底上，接着进行扩散，随后在光刻区进行浓N+离子注入形成N+阱区。
4、如权利要求3所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：所述浓P型阱区深度为0.1微米至10微米，宽度为0.1微米至10微米。
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