[发明专利]高k栅介质材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200910102013.9 | 申请日： | 2009-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN101635308A | 公开（公告）日： | 2010-01-27 |
| 发明（设计）人： | 方泽波;陈伟 | 申请（专利权）人： | 绍兴文理学院 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L21/28;H01L21/283;H01L21/336 |
| 代理公司： | 绍兴市越兴专利事务所 | 代理人： | 方剑宏 |
| 地址： | 312000浙江省绍兴*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介质 材料 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高k栅介质材料的制备方法，包括以下步骤：
(1)、选择半导体衬底：半导体衬底选择P型Si(100)衬底，硅片电阻率为2～10Ω·cm，衬底温度为室温，生长前经过表面处理；表面处理先用去离子水超声清洗10min，再用浓度为1％的HF酸腐蚀30s以去除Si衬底的表面自然氧化层，然后送进生长室，生长时间为30min；
(2)、以Er2O3和Al2O3混合陶瓷靶为溅射靶，在上述P型Si(100)衬底上，采用射频磁控溅射形成ErAlO非晶复合氧化物薄膜，采用的混合陶瓷靶材料纯度99.99％，Al2O3占30％摩尔比，射频功率为40W，溅射气体为Ar和O2，氧分压比P＝P(O2)/((P(O2)+P(Ar))为1％，工作气压为1.0Pa，形成ErAlO非晶复合氧化物薄膜，薄膜厚度为32nm；其化学组成为(Er2O3)1-x(Al2O3)x，0＜x＜1；
(3)、溅射完成的ErAlO非晶复合氧化物薄膜，在一个大气压下，氧气流量为150L/h的退火炉中进行退火处理，退火时间为30min，退火温度为600℃。
2.权利要求1所制备的高k栅介质材料在制备MOS晶体管栅介质层上的应用，具有更好的平整度、高介电常数和低漏电流。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于绍兴文理学院，未经绍兴文理学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910102013.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
