[发明专利]一种用于提纯硅的除磷熔渣无效

专利信息
申请号: 200910102782.9 申请日: 2009-09-09
公开(公告)号: CN102020279A 公开(公告)日: 2011-04-20
发明(设计)人: 吴展平 申请(专利权)人: 贵阳宝源阳光硅业有限公司
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037
代理公司: 贵阳东圣专利商标事务有限公司 52002 代理人: 徐逸心
地址: 550014 贵州*** 国省代码: 贵州;52
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 提纯 磷熔渣
【权利要求书】:

1.一种用于提纯硅的除磷熔渣,其特征在于:熔渣是由脱磷剂、助熔剂和助剂组成,脱磷剂是具有强还原性的钙的化合物或含钙的金属合金CaAl、CaSi、CaSiAl、CaSiMg、CaMg、CaC2中的任一种或两种以上,助熔剂为钙的卤化物,助剂为碱土金属的氧化物。

2.根据权利要求1所述的一种用于提纯硅的除磷熔渣,其特征是脱磷剂优选为CaC2或CaSi。

3.根据权利要求1所述的一种用于提纯硅的除磷熔渣,其特征是助熔剂优选为氟化钙。

4.根据权利要求1所述的一种用于提纯硅的除磷熔渣,其特征是助剂优选为氧化钙。

5.根据权利要求1所述的一种用于提纯硅的除磷熔渣,其中所述的脱磷剂、助熔剂和助剂的质量比为3.5~5∶1∶0.5,优选为4∶1∶0.5。

6.按照权利要求1~5之一所述的一种用于提纯硅的除磷熔渣的应用,其特征在于用在真空感应炉上提纯硅去除杂质磷的过程中,在惰性气体保护下进行脱磷的反应。

7.根据权利要求6所述的一种用于提纯硅的除磷熔渣,用于在真空感应炉上提纯硅去除杂质磷的过程中,所述的真空感应炉内坩埚上方处于强还原性气氛。

8.根据权利要求6所述的一种用于提纯硅的除磷熔渣,经过脱磷后的硅,磷含量小于1ppm。

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