[发明专利]水热法及溶剂热合法制备纳米SiO2的工艺无效
申请号: | 200910103083.6 | 申请日: | 2009-01-16 |
公开(公告)号: | CN101475176A | 公开(公告)日: | 2009-07-08 |
发明(设计)人: | 张纵 | 申请(专利权)人: | 重庆广旺投资有限公司 |
主分类号: | C01B33/113 | 分类号: | C01B33/113 |
代理公司: | 重庆市前沿专利事务所 | 代理人: | 郭 云 |
地址: | 400080重*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 水热法 溶剂 合法 制备 纳米 sio sub 工艺 | ||
1、一种水热法及溶剂热合法制备纳米SiO2材料的工艺,其特征在于按如下步骤进行:
(1)将压缩过滤后的空气和H2送入水解容器,同时送入高温气化后的SiCl4到水解容器,SiCl4、H2和空气中的氧在水解容器内1400~1800℃环境下进行水解:SiCl4+2H2+O2—>SiO2+4HCl,反应后SiO2颗粒极细再与气体形成气溶胶;
(2)将步骤(1)生成的气溶胶SiO2和HCl一起送入聚集容器,在350~450℃的环境下,SiO2相互碰撞聚集成颗粒状;
(3)将步骤(2)形成的颗粒状SiO2和HCl送入旋风分离器进行分离,将颗粒状的SiO2从旋风分离器分离出来进入脱酸炉;
(4)在颗粒状的SiO2进入脱酸炉的同时在脱酸炉底部通入湿热空气,湿热空气中水蒸汽的含量质量百分比为0.02~0.08%,进入流量为160M3~200M3/h,温度为350~450℃,SiO2在脱酸炉脱酸反应,将表面吸附的HCl脱去,得到纳米SiO2。
2、根据权利要求1所述水热法及溶剂热合法制备纳米SiO2材料的工艺,其特征在于:所述步骤(1)中水解器采用盘式燃烧器;SiCl4采用多孔送料器输入水解容器内。
3、根据权利要求1所述水热法及溶剂热合法制备纳米SiO2材料的工艺,其特征在于:所述步骤(3)中颗粒状的SiO2和HCl经过3~5个串联在一起的旋风分离器多级分离。
4、根据权利要求1所述水热法及溶剂热合法制备纳米SiO2材料的工艺,其特征在于:所述步骤(4)中湿热空气内脱酸的SiO2经过3~5个串联在在一起的脱酸塔多级脱酸,每一个脱酸塔内脱酸8~12分钟。
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