[发明专利]高能X射线工业CT电离型探测器无效
申请号: | 200910103506.4 | 申请日: | 2009-03-31 |
公开(公告)号: | CN101526623A | 公开(公告)日: | 2009-09-09 |
发明(设计)人: | 周日峰;高富强;张平;谭辉;安康;陈伟民 | 申请(专利权)人: | 重庆大学 |
主分类号: | G01T1/185 | 分类号: | G01T1/185 |
代理公司: | 北京同恒源知识产权代理有限公司 | 代理人: | 赵荣之 |
地址: | 400044重*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高能 射线 工业 ct 电离 探测器 | ||
1.高能X射线工业CT电离型探测器,包括一密封壳体,所述密封壳体内 充有工作气体,其特征在于:所述密封壳体内设置多个电离室单元,所述电离 室单元为长条形,包括U形电离室壁和薄金属片,所述薄金属片的X射线接收 端通过绝缘片固定设置于U形电离室壁的开口端,所述薄金属片的另一端设置 于电离室内,并沿电离室的长度方向延伸;所述薄金属片的厚度小于等于 0.3mm,所述薄金属片由高密度高原子序数的金属或这些金属的合金制成;所 述U形电离室壁作为收集极与信号处理电路连接,薄金属片作为辐射转换体和 高压阴极与高压电源连接;
所述U形电离室壁和薄金属片上设置有引脚,所述密封壳体包括一绝缘底 板,所述绝缘底板设置有收集极引脚孔和高压极引脚孔,所述U形电离室壁的 引脚通过收集极引脚孔与信号处理电路连接,所述薄金属片的引脚通过高压极 引脚孔与高压电源连接;
所述收集极引脚孔中设置有漏电保护装置。
2.如权利要求1所述的高能X射线工业CT电离型探测器,其特征在于: 所述薄金属片由铜、钨、钽、钼、铌或它们中至少2种的合金制成。
3.如权利要求1所述的高能X射线工业CT电离型探测器,其特征在于: 所述薄金属片外表面包裹有易产生次级电子的材料的涂层。
4.如权利要求3所述的高能X射线工业CT电离型探测器,其特征在于: 所述易产生次级电子的材料为CsI、GaAs、InGaAs或多碱锑化物。
5.如权利要求1所述的高能X射线工业CT电离型探测器,其特征在于: 所述U形电离室壁由铝、铁、镍、铜或它们中至少2种的合金制成。
6.如权利要求1所述的高能X射线工业CT电离型探测器,其特征在于: 所述密封壳体内工作气体的气压为1~5×105帕斯卡。
7.如权利要求1至6中任一项所述的高能X射线工业CT电离型探测器, 其特征在于:所述的多个电离室单元并列设置,位于两侧的两个电离室单元的 宽度等于位于中间的电离室单元的宽度减去密封壳体的侧壁厚度。
8.如权利要求1至6中任一项所述的高能X射线工业CT电离型探测器, 其特征在于:所述的多个电离室单元由绝缘片隔开。
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