[发明专利]经硬脑膜刺激视皮层的柔性微电极芯片及制备方法有效
申请号: | 200910103692.1 | 申请日: | 2009-04-24 |
公开(公告)号: | CN101548912A | 公开(公告)日: | 2009-10-07 |
发明(设计)人: | 阴正勤;侯文生;陈丽峰;胡宁;郭冰冰;刘娜;夏露 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军第三军医大学 |
主分类号: | A61F2/02 | 分类号: | A61F2/02 |
代理公司: | 北京同恒源知识产权代理有限公司 | 代理人: | 赵荣之 |
地址: | 400038重*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 脑膜 刺激 皮层 柔性 微电极 芯片 制备 方法 | ||
1.经硬脑膜刺激视皮层的柔性微电极芯片,其特征在于:所述芯片包括柔性聚合物基底(1)、由微电极(5)组合而成的微电极阵列(2)和由焊点(7)组合而成的焊点阵列(3),所述微电极阵列(2)设置在柔性聚合物基底(1)上,所述微电极(5)的引脚与焊点(7)通过金属引线(9)进行一一对应连接。
所述微电极阵列(2)为多边规则形阵列,所述微电极阵列(2)由m×n个圆柱状微电极(5)构成,m为微电极阵列的规则边数目,n为微电极阵列上各边的微电极分布数目,所述微电极(5)的直径取值范围为50~200μm,长度取值范围为35~140μm,微电极(5)间间距取值范围为200~300μm;所述微电极(5)的中部设置有通孔(6),所述通孔(6)的直径取值范围为30~100μm;
所述焊点阵列(3)包括m个子焊点阵列(11),所述子焊点阵列(11)包括n个焊点(7),所述焊点(7)上设置有焊孔,所述焊点(7)的直径取值范围为500μm~2000μm,焊点(7)间间距取值范围为500~1000μm,所述焊孔直径的取值范围为300μm~1500μm;
所述连接微电极(5)的金属引线(9)按连接关系均匀分为m组,形成m条金属引线带(4),每一条金属带(4)的金属引线对应连接微电极阵列(2)上相应一边的微电极(5),形成以微电极阵列(2)为中心向四周发散的结构,连接微电极阵列(2)与分布于微电极阵列(2)四周的焊点阵列(3)。
2.根据权利要求1所述的经硬脑膜刺激视皮层的柔性微电极芯片,其特征在于:m取值为4,连接微电极(5)的金属引线(9)按连接关系均匀分为四组,形成四条金属引线带(4),所述金属引线带(4)在二维平面上呈十字形分布,连接微电极阵列(2)与分布于微电极阵列(2)四周的焊点阵列(3)。
3.根据权利要求1或2所述的经硬脑膜刺激视皮层的柔性微电极芯片,其特征在于:所述微电极阵列(2)每一边的微电极(5)中,微电极(5)的长度依照线性分布规律进行设置,在微电极阵列(2)的作用区域内产生强弱等级不 同的电场。
4.根据权利要求1所述的经硬脑膜刺激视皮层的柔性微电极芯片,其特征在于:所述柔性聚合物基底(1)为聚酰亚胺基底、聚二甲基硅氧烷基底或聚对二甲苯基底,所述柔性聚合物基底(1)厚度的取值范围为10~30μm。
5.根据权利要求1所述的经硬脑膜刺激视皮层的柔性微电极芯片,其特征在于:所述金属引线(9)的宽度取值范围为50~100μm,线间间距取值范围为50~100μm,高度的取值范围为17.5μm。
6.根据权利要求1所述的经硬脑膜刺激视皮层的柔性微电极芯片,其特征在于:所述微电极阵列(2)、焊点阵列(3)、金属引线(9)的表面均采用镀金工艺形成致密的镀金层(10)。
7.权利要求1所述的经硬脑膜刺激视皮层的柔性微电极芯片的制备方法,其特征在于:包括以下加工步骤:
(A)以聚酰亚胺作为柔性聚合物基底(1),柔性聚合物基底(1)厚度的取值范围为10~30μm,将柔性聚合物基底裁切成需要尺寸;
(B)利用化学方法清洗材料表面的污染物,以获得更好的光面平整度和光洁度;
(C)钻孔:在柔性聚合物基底上过孔所在位置进行钻孔,得到所需要的过孔;
(D)磨板:对柔性聚合物基底表面进行打磨处理以满足铜沉积的要求;
(E)沉积铜:在柔性聚合物基底表面沉积铜箔,铜箔的厚度取值范围为35~140μm;
(F)层压、露光:利用感光干膜层压在铜箔上,通过UV线照射下在干膜上形成微电极阵列、引线和焊盘的微结构图形;
(G)显影:将已经曝光过的感光干膜利用显影液进行处理,除去未感光的感光干膜,使微电极阵列、引线和焊盘的微结构图形基本成型;
(H)蚀刻:在铜箔表面均匀喷淋蚀刻药液,腐蚀铜箔,在铜箔上形成所需 图形,随后剥离感光干膜,得到微电极阵列、引线和焊盘的微结构;
(I)镀金:在微电极阵列上镀金,以获得较好的生物相容性及抗腐蚀、抗氧化能力;
(J)喷锡:在焊盘位置喷锡;
(K)外围成形:剪裁芯片,得到最终的外形;
(L)等离子清洗:使用等离子机对芯片进行清洗;
(M)防氧阻焊处理;
(N)完成上述步骤后得到柔性微电极的裸体芯片,使用压焊工艺将微电极阵列(2)和焊点阵列(3)通过金属引线(9)进行连接,然后采用柔性多聚物材料对裸体芯片进行封装,仅将微电极(2)裸露,得到所需的柔性微电极阵列芯片。
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