[发明专利]具有展宽频带功能的复合磁电阵列换能器无效
申请号: | 200910104326.8 | 申请日: | 2009-07-14 |
公开(公告)号: | CN101604927A | 公开(公告)日: | 2009-12-16 |
发明(设计)人: | 文玉梅;李平 | 申请(专利权)人: | 重庆大学 |
主分类号: | H02N2/00 | 分类号: | H02N2/00 |
代理公司: | 重庆市恒信知识产权代理有限公司 | 代理人: | 侯懋琪 |
地址: | 400044重*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 展宽 频带 功能 复合 磁电 阵列 换能器 | ||
1.一种具有展宽频带功能的复合磁电阵列换能器,其特征在于:它由基板(1)、反射栅(2)、正向MUDT(3)、反向MUDT(4)、PUDT(5)组成;正向MUDT(3)和反向MUDT(4)均为多个且正向MUDT(3)数量大于反向MUDT(4)数量;
其中,反射栅(2)、正向MUDT(3)、PUDT(5)按“反射栅(2)-正向MUDT(3)阵列-PUDT(5)-反射栅(2)”的顺序从左至右横向排列在基板(1)上;
在正向MUDT(3)之间和/或正向MUDT(3)与PUDT(5)之间的位置间插设置有反向MUDT(4);从左至右顺次相邻的正向MUDT(3)和反向MUDT(4)形成MRUDT单元;
各个器件间绝缘;
其中,MUDT为具有磁-机转化的、部分单向传输特性的叉指换能器单元;
PUDT为压电单向叉指换能器;
MRUDT为谐振型单向传播磁电叉指换能器单元。
2.根据权利要求1所述的具有展宽频带功能的复合磁电阵列换能器,其特征在于:MUDT结构为:它由两个反射指条(7)和一个超磁致伸缩指条(6)组成,反射指条(7)和超磁致伸缩指条(6)按“反射指条(7)-超磁致伸缩指条(6)-反射指条(7)”的顺序排列在基板上;其中一个反射指条(7)的横向宽度大于另一个反射指条(7)的横向宽度;超磁致伸缩指条(6)横向宽度的中心位置形成传输中心TC,相邻两个MUDT间的TC间距为1λ,λ是在装置中传播的声表面波的波长。
3.根据权利要求2所述的具有展宽频带功能的复合磁电阵列换能器,其特征在于:正向MUDT(3)左边的反射指条(7)的横向宽度大于右边的反射指条(7)的横向宽度;反向MUDT(4)右边的反射指条(7)的横向宽度大于左边的反射指条(7)的横向宽度;
两个反射指条(7)的横向宽度分别为3λ/8和λ/8,λ是在装置中传播的声表面波的波长;
超磁致伸缩指条(6)横向宽度为λ/8,λ为波长;反射指条(7)和超磁致伸缩指条(6)间间距为λ/8。
4.根据权利要求1所述的具有展宽频带功能的复合磁电阵列换能器,其特征在于:复合磁电阵列换能器两端的反射栅(2)横向宽度为λ/4,λ是在装置中传播的声表面波的波长。
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