[发明专利]通过氟、氮、硼离子注入形成超浅结的方法

权利要求书

1.一种通过氟、氮、硼离子注入形成超浅结的方法，其特征在于，该方法步骤包括：

1)对硅衬底进行氟离子注入；

2)对所述硅衬底进行氮离子注入；

3)对所述硅衬底进行硼离子注入；

4)对所述硅衬底进行氮气退火。

2.根据权利要求1所述的通过氟、氮、硼离子注入形成超浅结的方法，其特征在于所述对硅衬底进行氟离子注入的方法包括：选择衬底电阻率0.8～1.2Ω·cm的N型硅衬底；在硅衬底上需要制作超浅结的区域进行氟离子注入，能量为30～40keV，剂量为1×10¹⁵～2×10¹⁵/cm²。

3.根据权利要求1所述的通过氟、氮、硼离子注入形成超浅结的方法，其特征在于所述对硅衬底进行氮离子注入的方法包括：在需要制作超浅结的区域进行氮离子注入，能量为5～10keV，剂量为5.0×10¹¹～5.0×10¹²/cm²。

4.根据权利要求1所述的通过氟、氮、硼离子注入形成超浅结的方法，其特征在于所述对硅衬底进行硼离子的方法包括：在需要制作超浅结的区域进行硼离子注入，能量为3～5keV，剂量为1.0×10¹¹～1.0×10¹⁵/cm²。

5.根据权利要求1所述的通过氟、氮、硼离子注入形成超浅结的方法，其特征在于所述对硅衬底进行氮气退火的方法为：采用单步退火法或者两步退火法进行退火。

6.根据权利要求5所述的通过氟、氮、硼离子注入形成超浅结的方法，其特征在于所述单步退火法的方法包括：在普通快速退火炉中，退火温度为920～980℃，退火时间为1～10s，退火升温速率为200℃/s～300℃/s。

7.根据权利要求5所述的通过氟、氮、硼离子注入形成超浅结的方法，其特征在于所述两步退火法的方法包括：第一步：退火温度为600±50℃，退火时间为：在普通热退火炉中，退火时间20～60min；或在普通快速退火炉中，退火时间60-180s；第二步：在普通快速退火炉中，退火温度为920～980℃，退火时间为1～10s。