[发明专利]数字点火器双模式供电电路无效

专利信息
申请号: 200910104552.6 申请日: 2009-08-06
公开(公告)号: CN101619698A 公开(公告)日: 2010-01-06
发明(设计)人: 鲜晓东;梁山;刘飞;胡颖;谢开明 申请(专利权)人: 重庆大学
主分类号: F02P1/08 分类号: F02P1/08
代理公司: 北京同恒源知识产权代理有限公司 代理人: 赵荣之
地址: 400044重*** 国省代码: 重庆;85
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 数字 点火器 双模 供电 电路
【权利要求书】:

1.数字点火器双模式供电电路,其特征在于:包括

电源电路,接收磁电机输出的电压脉冲或电瓶的输出电压,输出数字点火器工作电压;

电容充放电电路,接收磁电机输出的电压脉冲进行充电储能,并根据数字点火器的点火脉冲信号,向点火线圈放电;以及

磁电机电压脉冲分配电路,接收磁电机的电压脉冲,将磁电机电压脉冲的正半周和负半周分别分配给电源电路和电容充放电电路;

所述电源电路具体包括

电瓶电压稳压电路,接收电瓶输出电压,稳压后输出;

磁电机电压稳压电路,接收磁电机电压脉冲分配电路所分配的磁电机电压脉冲,在电瓶电压输出过低或电瓶线缆接触不良的情况下稳压后输出;

输出稳压电路,接收磁电机电压稳压电路或电瓶电压稳压电路输出的电压,稳压后,作为数字点火器的工作电源输出。

2.如权利要求1所述的数字点火器双模式供电电路,其特征在于:磁电机电压脉冲分配电路将磁电机电压脉冲的正半周分配到电源电路,将磁电机电压脉冲的负半周分配到电容充放电电路。

3.如权利要求2所述的数字点火器双模式供电电路,其特征在于:所述电容充放电电路由第一双向可控硅SCR1和储能电容C4组成,所述第一双向可控硅SCR1的控制极用于与数字点火器的点火脉冲信号输出端电连接,第一双向可控硅SCR1的第一阳极与储能电容C4的一端电连接,储能电容C4的另一端与磁电机的电压脉冲输出端电连接,第一双向可控硅SCR1的第二阳极接地。

4.如权利要求3中所述的数字点火器双模式供电电路,其特征在于:磁电机电压脉冲分配电路包括第四二极管D4和第三二极管D3,所述第四二极管D4的正极和磁电机的电压脉冲输出端电连接,第四二极管D4的负极与磁电机电压稳压电路的输入端电连接,第三二极管D3的正极分别与储能电容C4的一端和第一双向可控硅SCR1的第一阳极电连接,在磁电机电压脉冲的正半周,第四二极管D4导通,将电压脉冲输入磁电机电压稳压电路,在磁电机电压脉冲的负半周,第三二极管D3导通,为储能电容C4充电。

5.如权利要求4所述的数字点火器双模式供电电路,其特征在于:所述磁电机电压稳压电路包括第一稳压管ZD1、第二电阻R2、第一二极管D1、第六电容C6和第二可控硅SCR2;第一稳压管ZD1的正极分别与第二电阻R2的一端、第二可控硅SCR2的控制极相连,第二电阻R2的另一端接地,第一稳压管ZD1的负极与第四二极管D4的负极电连接,第二可控硅SCR2的阴极接地,第一二极管D1的正极与第四二极管D4的负极相连;第六电容C6的正极接第一二极管的负极,另一端接地。

6.如权利要求5中所述的数字点火器双模式供电电路,其特征在于:所述电瓶电压稳压电路包括三极管Q1、第二稳压管ZD2、第五电阻R5、第五二极管D5和第三电容C3,三极管Q1的基极通过第五电阻R5与电瓶的电压输出端电连接,第二稳压管ZD2的负极与三极管Q1的基极电连接,第二稳压管ZD2的正极接地,三极管Q1的集电极与电瓶的电压输出端电连接,三极管Q1的发射极与第三电容C3的一端以及第五二极管D5的正极电连接,所述第三电容C3的另一端接地,第五二极管D5的负极与第一二极管D1的负极电连接。

7.如权利要求6中所述的数字点火器双模式供电电路,其特征在于:输出稳压电路包括稳压芯片U3及其外围电路。

8.如权利要求6中所述的数字点火器双模式供电电路,其特征在于:所述稳压芯片U3型号为MP2359,所述外围电路包括第一电阻R1、第三电阻R3、第四电阻R4、第一电容C1、第二电容C2、第五电容C5、二极管D2及电感L1,所述稳压芯片U3的EN脚通过第一电阻R1与第一二极管D1的负极电连接,稳压芯片U3的VIN脚与第一二极管D1的负极电连接,稳压芯片U3的SW脚与第二二极管D2的负极电连接,所述第二二极管D2的正极接地,稳压芯片U3的SW脚还通过第二电容C2与稳压芯片U3的BST脚连接,稳压芯片U3的SW脚通过电感L1与输出稳压电路的稳压输出端连接,稳压芯片U3的GND脚接地,稳压芯片U3的FB脚通过第三电阻R3接地,同时通过电阻R4接输出稳压电路的稳压输出端,所述输出稳压电路的稳压输出端分别通过第一电容C1和第五电容C5接地。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆大学,未经重庆大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910104552.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top