[发明专利]一种温差电池及其制作方法有效
| 申请号： | 200910105173.9 | 申请日： | 2009-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN101483218A | 公开（公告）日： | 2009-07-15 |
| 发明（设计）人： | 范平;张东平;梁广兴;郑壮豪 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H01L35/32 | 分类号： | H01L35/32;H01L35/34 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所 | 代理人： | 王永文 |
| 地址： | 518060广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 温差 电池 及其 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种温差电池的制作方法，其特征在于，包括步骤：
将所述绝缘基片放入镀膜室内夹具上，所述夹具被设计为可以对基片进行翻转；
将绝缘基片的一侧面在镀制过程中裸露，其他侧面被遮挡，绝缘基片放置有一定的倾角，使在裸露的侧面镀上薄膜；
在所述绝缘基片的一面镀制P型热电材料薄膜层；
在所述绝缘基片的另一面镀制N型热电材料薄膜层；
所述P型热电材料薄膜层和N型热电材料薄膜层都在绝缘基片裸露的一侧面沉积连接起来；
分别从所述N型热电材料薄膜层和所述P型热电材料薄膜层引出电极，形成温差电池的主体结构。
2.如权利要求1所述温差电池的制作方法，其特征在于，所述绝缘基片的厚度为：0.1mm至100mm，所述P型热电材料薄膜层的厚度为：1nm至10μm；所述N型热电材料薄膜层的厚度为：1nm至10μm。
3.如权利要求1所述温差电池的制作方法，其特征在于，所述绝缘基片材料的形状是规则的矩形。
4.如权利要求1所述温差电池的制作方法，其特征在于，所述绝缘基片裸露的侧面形状是平面或者是曲面。
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