[发明专利]一种CdS薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种CdS薄膜的制备方法，其包括：

a、制备蒸发源：将源材料和CdCl₂加入到分散剂中制成浆料， 将所述浆料涂敷在蒸发容器的表面，烘干形成源材料涂层；

b、近空间升华：在10^-3-10³Pa下，在保护气保护下，加热蒸发 容器，使涂层蒸发，在衬底上沉积成膜；

c、退火：在沉积完成后，在退火温度下，对其恒温保持10-40min。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述源材料 为Cd粉和硫粉的混合粉末。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述Cd粉与 硫粉的摩尔比为1∶1-1∶1.1。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：以所述浆料 的总重量为基准，所述CdCl₂的含量为1-10wt％。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述源材料 涂层的厚度为30-400μm。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述涂敷为 丝网印刷。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：还包括在保 护气中加入氧气，所述保护气和氧气的体积比为1∶1-4∶1。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述步骤b 和所述步骤c在同一装置内完成。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述蒸发容 器的温度为560-600℃，所述衬底的温度为500-520℃，退火温度为 300-450℃。

10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述衬底和 所述蒸发容器之间的蒸距为2-4mm。