[发明专利]一种防止回焊过程中资料遗失的方法及装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种快闪记忆体的资料存储方法及装置，特别涉及一种多位准单元快闪记忆体在回焊过程中避免资料遗失的方法及装置。

背景技术

非挥发性记忆体中，反及闸型快闪记忆体因为具备编程时间短、晶圆面积小及低耗电量的优点，广泛地作为各种多媒体资料的储存媒体，例如：安全数位卡或小型快闪卡。一般而言，反及闸型快闪记忆体可分为单位准单元快闪记忆体及多位准单元快闪记忆体。每一个单位准单元可储存“0”或“1”两个值，而每一个多位准单元至少可储存“00”、“01”、“10”或“11”四个以上的值，具有较高的储存密度。然而，受限于多位准单元快闪记忆体的架构，相较于单位准单元快闪记忆体，多位准单元快闪记忆体较容易产生资料遗失的情况。

快闪记忆体，是一种配备管理系统的存储器，主题结构中包括有存储单元和控制器，控制器控制存储单元读、写的操作。控制器中的管理系统所配套的文件资料是提前在芯片生产时工艺中预先录入的。在将记忆体作为产品的结构部件焊接在印刷电路板的过程中，多位准单元快闪记忆体的芯片中所预存的管理快闪记忆体程序的资料，往往会因为回焊过程中高温加热，而使资讯遗失，导致记忆体无法正常操作或需重新写入预存资料，严重地降低量产效能并增加成本。

因此，需要一种方法，用以解决多位准单元快闪记忆体在回焊过程中，因高温而产生资料遗失的问题，进而有效提升量产的效能。

发明内容

本发明提供一种防止回焊过程中资料遗失的方法及装置，采用的技术方案是：一种防止回焊过程中资料遗失的方法，适用于具有复数记忆区块的快闪记忆体在配套的CPU和管理软件的支持下实现的，本方法包括：

(I)接收预录资料；

(II)将本预录资料储存至快闪记忆体的配置为强页面写入状态管理单元的记忆区块的强页面中；

(III)加热快闪记忆体，用以进行回焊流程；

(IV)根据触发信号重组预录资料；

(V)将重组后的预录资料连续写入至快闪记忆体的某一新记忆区块的页面中；

(VI)对于步骤(II)中的强页面写入状态的管理单元的记忆区块进行资料抹除操作，使其恢复该记忆区块的原始存储容量。

一种与上述防止回焊过程中资料遗失的方法配套的记忆体装置，本装置包括：具有复数记忆区块的快闪记忆体，控制快闪记忆的体的控制器。

本发明的效果是：使用本发明的方法和装置，可以直接避免回焊过程中资料的遗失，大幅提高量产效能，克服了需牺牲记忆容量的被动举措，确保了预录资料在回焊过程中的完整及正确性。

附图说明

图1本发明实施例的记忆体装置示意图。

图2本发明实施例的快闪记忆体示意图。

图3本发明实施例的记忆区块示意图。

图4本发明实施例的预录资料重组示意图。

图5本发明方法流程图。

其中，10表示记忆体装置，102表示控制器，104表示快闪记忆体，30、402、404、406表示记忆区块，MU0、MU1、MU2、MU3表示管理单元。

具体实施方式

本发明所提供的技术方案中包括一种防止回焊过程中资料遗失的方法及与该方法配套的装置。采用的技术方案是，一种防止回焊过程中资料遗失的方法，适用于具有复数记忆区块的快闪记忆体在配套的CPU和管理软件的支持下实现的，本方法包括以下具体步骤：

(I)接收预录资料；

(II)将本预录资料储存至快闪记忆体的某一记忆区块的强页面中；

(III)加热快闪记忆体，用以进行回焊流程；

(IV)根据触发信号重组预录资料；

(V)将重组后的预录资料连续写入至快闪记忆体的某一新记忆区块的页面中；

(VI)对于步骤(II)中的强页面写入状态的管理单元的记忆区块进行资料抹除操作，使其恢复该记忆区块的原始存储容量。

本发明实施例的技术方案中，本方法根据回复命令产生触发信号。

本发明实施例的技术方案中，根据快闪记忆体的定脚位的某一状态，产生触发信号。

本发明实施例的技术方案中，首先选择的记忆区块的储存容量为新记忆区块的储存容量一半。

本发明实施例的技术方案中，抹除后的记忆区块与新记忆区块具有相同的储存容量。

本发明实施例的技术方案中，判断储存于新记忆区块的预录资料是否正确后，对首先选择的记忆区块的强页面进行资料抹除操作。

本发明实施例的技术方案中，储存资料时，强页面的编程忙碌时间小于弱页面的编程忙碌时间。