[发明专利]太阳能电池用导电浆料及其制备方法有效
申请号: | 200910105802.8 | 申请日: | 2009-02-27 |
公开(公告)号: | CN101820002A | 公开(公告)日: | 2010-09-01 |
发明(设计)人: | 谭伟华;刘珍;周勇;姜占锋 | 申请(专利权)人: | 比亚迪股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/18;H01L31/042 |
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地址: | 518118 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 导电 浆料 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种导电浆料及其制备方法,更具体地说,本发明涉 及一种太阳能电池用导电浆料及其制备方法。
背景技术
太阳能作为一种绿色能源,以其取之不竭、无污染、不受地域资 源限制等优点越来越受到人们的重视。现有硅基太阳能电池一般通过 将含有导电性金属粉末、玻璃粉及有机载体的导电浆料印刷在硅基材 上,进行干燥和烧制制备电极。太阳电池硅基材的正面电极一般为负 极,涂覆的导电浆料通常为导电银浆;背面电极一般为正极,涂覆的 导电浆料通常为导电铝浆。
导电铝浆属于电子信息材料之一,是制作硅基太阳能电池的重要 材料,对太阳能电池的性能有着很大的影响。现有对导电铝浆料的研 究主要为,(1)提高太阳能电池的光电转换效率;(2)铝膜在烧结后 对硅基体附着力牢固,即烧结后不起铝珠和不起泡;(3)硅片烧结后 不弯曲或尽可能少弯曲;;(4)保证太阳电池组件和EVA胶膜。特别 是由于硅和铝的热膨胀系数有很大差异,在浆料烧结后,基材很容易 变形,产生翘曲,背面电极层的背面侧形成凹状,导致制备的太阳能 电池产生裂纹,降低了成品率。因此成为现有研究的热点和难点。
现有技术有通过向导电浆料中添加铝有机化合物来减少硅基材 的翘曲,但此种技术需将背面电极层减薄,则会导致最后的光转化效 率降低;也有通过向导电浆料中添加有机化合物粒子和碳粒子至少一 种来抑制烧成时的铝电极收缩,从而减少硅基材的翘曲,根据该方法, 添加的有机化合物粒子或碳粒子在浆料中以固体粒子状态存在,在烧 结时燃烧消失,会在电极内形成多个细微的空孔,能够抑制基材的翘 曲,但这些空孔的形成,会很大程度降低铝电极的机械强度和密着性; 也有通过向导电浆料中添加晶须来解决这些问题的,但其制备的太阳 能电池光电转化效率并不高。
现有技术也有通过在硼硅酸铅玻璃粉中添加一定量的镓、铟或铊 功能元素重新熔炼,由于添加的镓、铟或铊金属元素能改变玻璃粉的 线膨胀系数,一定程度上可减少硅片的弯曲程度;同时添加的镓、铟 或铊金属元素也能增强玻璃粉的导电率,一定程度上提高电池片的光 电转换效率,但该方法使用了镓、铟或铊等稀有金属元素,原材料来 源较难,并且铊等金属元素有毒,另外该类元素要和玻璃粉重新熔炼, 制备工艺复杂烦琐,不利于大批量生产。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术制备具有小程度弯曲、光电转 化效率高的电池片的导电浆料原料难得、工艺复杂,不利于大批量生 产的缺点,提供一种电池片弯曲程度小,光电转换效率高、原料易得、 制备简单易工艺化的导电浆料及其制备方法。
一种太阳能电池用导电浆料,包括金属粉、玻璃粉和有机载体, 所述金属粉包括铝粉,及钨、钼、金粉中的一种或几种。
金属钨、钼粉的线膨胀系数(钨4×10-6/℃,钼5.1×10-6/℃)与 硅材料的(硅:4.2×10-6/℃)的非常接近,即由温差引起的膨胀效果 与硅大致相当,远小于铝的线膨胀系数(铝:23.0×10-6/℃)小,因 此在含量相同及在相同温差情况下,添加有钨、钼粉的导电浆料在烧 结后的热膨胀小,烧结后形成的膜层的线膨胀率更接近于晶体硅,很 大程度上缓和了烧结后电池片的弯曲,明显减小了电池片的弯曲程 度;金属金的线膨胀系数(14.2×10-6/℃)也远小于铝的线膨胀系数, 在一定程度上很好的缓解了膨胀,减少了烧结后电池片的弯曲,特别 是金导电性能更优,甚至优于铝粉,在保持同样方块电阻的情况下可 以减少铝粉的用量。
同时本发明的发明人意外发现本发明制备的导电浆料不仅很好 的符合太阳能电池的要求,很好的解决了电池片烧结后易翘曲的问 题,而且本发明提供的导电浆料最终制备的太阳能电池的光电转换效 率也比较高,能达到17%以上,符合现有技术的高发展;同时导电浆 料烧结后的铝膜对硅基体附着力牢固,不起铝珠、不起泡;并且与 EVA(乙烯一醋酸乙烯共聚物)层压粘接后不容易起“铝灰”。本发 明的金属-玻璃相中的金属相对来说原材料来源较容易,并且此金属 元素污染小,一定程度上降低了成本。
本发明同时提供了该种太阳能电池用导电浆料的制备方法,包括 将金属粉、玻璃粉及有机载体混合,其中,金属粉包括铝粉,及钨、 钼、金粉中的一种或几种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的