[发明专利]一种发光二极管的制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：

提供一基底，在该基底的表面依次形成一第一半导体层、一活性层及一 第二半导体层；

提供一碳纳米管结构，将碳纳米管结构直接铺设在所述第二半导体层的 表面，形成一碳纳米管透明导电膜，其中，所述碳纳米管结构为从超顺 排碳纳米管阵列拉取获得的一超顺排碳纳米管膜，所述超顺排碳纳米管 膜包括多个首尾相连的碳纳米管；

形成一保护层，覆盖所述碳纳米管结构；

除去保护层的第一区域，以暴露出部分碳纳米管结构；

在暴露出的碳纳米管结构的表面制备一第一电极；

除去保护层的第二区域以及该第二区域以下的碳纳米管结构、第二半导 体层及活性层相应部分，以暴露出部分第一半导体层；及

在所述暴露出的第一半导体层的表面制备一第二电极。

2.如权利要求1所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述保护层 的材料为绝缘材料、半导体材料或金属材料。

3.如权利要求1所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述制备第 二电极的步骤后进一步包括去除碳纳米管结构表面剩余的保护层的步 骤。

4.如权利要求3所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述去除碳 纳米管结构上剩余的保护层的步骤之后，进一步包括以下步骤：在碳纳 米管结构的表面制备一金属层；将发光二极管在300℃-500℃的温度下 退火3-10分钟。

5.如权利要求1所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述形成碳 纳米管透明导电膜于第二半导体层的表面的步骤之前，预先制备一固定 电极于所述第二半导体层表面。

6.如权利要求5所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述固定电 极所对应的保护层的区域为第一区域。

7.如权利要求1所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述碳纳米 管膜包括若干大致平行的碳纳米管，该碳纳米管大致平行于碳纳米管透 明导电膜的表面。

8.如权利要求1所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述碳纳米 管结构包括若干大致平行的第一碳纳米管，和若干大致平行的第二碳纳 米管，该第一与第二碳纳米管大致平行于碳纳米管透明导电膜的表面， 该第一碳纳米管的延伸方向与第二碳纳米管的延伸方向形成一交叉角度 α，α大于等于0度小于等于90度。

9.如权利要求1所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述碳纳米 管结构为层状结构，厚度大于0.5纳米。

10.如权利要求1所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，在保护层的 第二区域用湿法刻蚀法刻蚀去除保护层，以暴露出部分碳纳米管结构。

11.如权利要求1所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，用氧等离子 体刻蚀法刻蚀去除第二区域以下的碳纳米管结构，以暴露出部分第二半 导体层。

12.如权利要求1所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，用反应离子 刻蚀法刻蚀第二区域以下的第二半导体层，以暴露出第一半导体层。

13.如权利要求1所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，用湿法刻蚀 法刻蚀去除第一区域内的保护层，以暴露出所述碳纳米管结构。

14.如权利要求1所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述刻蚀保 护层并制备第一电极和第二电极的方法包括以下步骤：在保护层的第二 区域用湿法刻蚀法刻蚀去除保护层，以暴露出碳纳米管结构；用氧等离 子体刻蚀法刻蚀去除所述暴露出的碳纳米管结构，以暴露出第二半导体 层；在暴露出的第二半导体层的表面用反应离子刻蚀法刻蚀，以暴露出 第一半导体层；在保护层的第一区域用湿法刻蚀法刻蚀去除保护层，以 暴露出碳纳米管结构；以及于所述暴露出的碳纳米管结构的表面以及所 述暴露出的第一半导体层的表面分别制备一第一电极和一第二电极。