[发明专利]可抑制临界电压漂移的闸极驱动电路无效

专利信息
申请号: 200910105817.4 申请日: 2009-02-26
公开(公告)号: CN101533623A 公开(公告)日: 2009-09-16
发明(设计)人: 邹元昕 申请(专利权)人: 深圳华映显示科技有限公司;中华映管股份有限公司
主分类号: G09G3/36 分类号: G09G3/36
代理公司: 深圳中一专利商标事务所 代理人: 张全文
地址: 518000广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 可抑制 临界 电压 漂移 驱动 电路
【权利要求书】:

1.一种可抑制临界电压漂移的闸极驱动电路,用以提供多个闸极信号至多条闸极线,其特征在于,所述闸极驱动电路包括多级移位寄存器,所述多级移位寄存器的一第N级移位寄存器包括:

一上拉单元,电连接于所述闸极线的一第N闸极线,用以根据一驱动控制电压及一第一频率将所述闸极信号的一第N闸极信号上拉至一高电压准位;

一缓冲单元,用以接收一输入信号;

一储能单元,电连接于所述上拉单元及所述缓冲单元,用来根据所述输入信号执行一充电程序,以提供所述驱动控制电压至所述上拉单元,其中所述储能单元包括一电容;

一放电单元,电连接于所述储能单元,用以根据一控制信号或一第(N+1)级移位寄存器所产生的一第(N+1)闸极信号将所述驱动控制电压下拉至一低电源电压;

一下拉单元,电连接于所述第N闸极线,用以根据所述控制信号将所述第N闸极信号下拉至所述低电源电压;

一控制单元,电连接于所述放电单元与所述下拉单元,用以根据所述输入信号及反相于所述第一频率的一第二频率产生所述控制信号;与

一信号切换单元,电连接于所述控制单元,用以根据所述第一频率将所述控制信号切换至所述低电源电压。

2.如权利要求1所述的闸极驱动电路,其特征在于,所述信号切换单元包括一晶体管,所述晶体管包括:

一第一端,电连接于所述控制单元;

一闸极端,用以接收所述第一频率;与

一第二端,用以接收所述低电源电压;

所述上拉单元包括一晶体管,所述晶体管包括:

一第一端,用以接收所述第一频率;

一闸极端,电连接于所述储能单元以接收所述驱动控制电压;与

一第二端,电连接于所述第N闸极线。

3.如权利要求1所述的闸极驱动电路,其特征在于,所述缓冲单元包括一晶体管,所述晶体管包括:

一第一端,电连接于一第(N-1)级移位寄存器以接收一第(N-1)闸极信号;

一闸极端,电连接于所述第一端;与

一第二端,电连接于所述储能单元;

其中所述输入信号为所述第(N-1)闸极信号;

所述放电单元包括一晶体管,所述晶体管包括:

一第一端,电连接于所述储能单元;

一闸极端,用以接收所述第(N+1)闸极信号或者电连接于所述控制单元以接收所述控制信号;与

一第二端,用以接收所述低电源电压;

所述下拉单元包括一晶体管,所述晶体管包括:

一第一端,电连接于所述第N闸极线;

一闸极端,电连接于所述控制单元以接收所述控制信号;与

一第二端,用以接收所述低电源电压。

4.如权利要求1所述的闸极驱动电路,其特征在于,所述控制单元包括:一第一晶体管,所述第一晶体管包括:

一第一端,用以接收一高电源电压;

一闸极端,用以接收所述第二频率;与

一第二端,电连接于所述放电单元与所述下拉单元;与

一第二晶体管,所述第二晶体管包括:

一第一端,电连接于所述第一晶体管的第二端;

一闸极端,用以接收所述输入信号;与

一第二端,用以接收所述低电源电压。

5.如权利要求1所述的闸极驱动电路,其特征在于,所述第N级移位寄存器还包括:

一进位单元,电连接于所述储能单元,用来根据所述驱动控制电压及所述第一频率产生一第N起始脉冲信号,所述第N起始脉冲信号被发送至所述第(N+1)级移位寄存器的一缓冲单元;

其中,所述进位单元包括:

一晶体管,所述晶体管包括:

一第一端,用来接收所述第一频率;

一闸极端,电连接于所述储能单元以接收所述驱动控制电压;与

一第二端,电连接于所述第(N+1)级移位寄存器的缓冲单元;

其中,所述第N级移位寄存器的缓冲单元包括:

一晶体管,所述晶体管包括:

一第一端,用来接收一第(N-1)级移位寄存器的一进位单元所产生的一第(N-1)起始脉冲信号;

一闸极端,电连接于所述第一端;与

一第二端,电连接于所述储能单元;

其中所述输入信号为所述第(N-1)起始脉冲信号。

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