[发明专利]一种三银低辐射膜玻璃无效
| 申请号： | 200910105851.1 | 申请日： | 2009-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN101497501A | 公开（公告）日： | 2009-08-05 |
| 发明（设计）人： | 陈可明;曾小绵;崔平生 | 申请（专利权）人： | 中国南玻集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C03C17/36 | 分类号： | C03C17/36 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人： | 曾旻辉;朱晓江 |
| 地址： | 518047广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 三银低 辐射 玻璃 | ||
1.一种三银低辐射膜玻璃，其特征在于，该玻璃的膜层结构为：玻璃/基层电介质组合层/第一Ag层/第一阻挡层/第一隔层电介质组合层/第二Ag层/第二阻挡层/第二隔层电介质组合层/第三Ag层/第三阻挡层/第一上层电介质组合层/第二上层电介质组合层；其中所述基层电介质组合层、第一隔层电介质组合层、第二隔层电介质组合层、第一上层电介质组合层、第二上层电介质组合层是选自金属或非金属的氧化物或氮化物TiO2、ZnSnOx、ZnO、SiO2、Ta2O5、BiO2、Al2O3、ZnAl2O4、Nb2O5、Si3N4、AZO中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的三银低辐射膜玻璃，其特征在于，所述基层电介质组合层厚度为10～30nm。
3.根据权利要求1所述的三银低辐射膜玻璃，其特征在于，所述第一隔层电介质组合层的厚度为38～90nm；所述第二隔层电介质组合层的厚度为30～110nm。
4.根据权利要求1所述的三银低辐射膜玻璃，其特征在于，所述第一上层电介质组合层的厚度为10～35nm；所述第二上层电介质组合层的厚度为10～30nm。
5.根据权利要求1所述的三银低辐射膜玻璃，其特征在于，所述第一Ag层、第二Ag层、第三Ag层的厚度为8～35nm。
6.根据权利要求1所述的三银低辐射膜玻璃，其特征在于，所述第一阻挡层、第二阻挡层、第三阻挡层的材料是氧化镍铬或氮化镍铬，层厚1～10nm。
7.权利要求1-6任意一项所述三银低辐射膜玻璃的生产工艺，包括以下步骤：
(1)基础玻璃清洗干燥，并置于真空溅射区；
(2)双旋转阴极、中频反应磁控溅射沉积基层电介质组合层；
(3)平面阴极或旋转阴极、直流或直流加脉冲磁控溅射沉积第一Ag层；
(4)平面阴极或旋转阴极、直流或直流加脉冲磁控溅射沉积第一阻挡层；
(5)双旋转阴极、中频反应磁控溅射沉积第一隔层电介质组合层；
(6)平面阴极或旋转阴极、直流或直流加脉冲磁控溅射沉积第二Ag层；
(7)平面阴极或旋转阴极、直流或直流加脉冲磁控溅射沉积第二阻挡层；
(8)双旋转阴极、中频反应磁控溅射沉积第二隔层电介质组合层；
(9)平面阴极或旋转阴极、直流或直流加脉冲磁控溅射沉积第三Ag层；
(10)平面阴极或旋转阴极、直流或直流加脉冲磁控溅射沉积第三阻挡层；
(11)双旋转阴极、中频反应磁控溅射分别沉积第一、第二上层电介质组合层。
8.根据权利要求7所述的三银低辐射膜玻璃的生产工艺，其特征在于，所述双旋转阴极、中频反应磁控溅射是在氩氮或氩氧氛围中进行，功率30kw-100kw，中频电源频率为30-50kHz。
9.根据权利要求7所述的三银低辐射膜玻璃的生产工艺，其特征在于，所述平面阴极或旋转阴极、直流或直流加脉冲磁控溅射是在氩氧氛围中进行，功率2-8kw。
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