[发明专利]低频振动测量装置

权利要求书

1.一种低频振动测量装置，包括振动传感器和CMOS芯片，其特征在于， 所述振动传感器集成在所述CMOS芯片上，所述振动传感器包含敏感单元，所 述敏感单元包括含有浮栅的场效应管和嵌入了金属或多晶硅材料作栅极用于感 应振动的质量块，所述浮栅嵌入CMOS芯片的氧化硅介质层中，质量块振动使 栅极与浮栅耦合形成可变电容，浮栅与场效应管的漏极之间形成耦合电容，当 漏极和栅极分别加电压时，所述耦合电容以及可变电容在浮栅上感应出高电位， 所述质量块置于CMOS芯片氧化硅介质层的开口中，并与场效应管对应设置， 所述质量块与场效应管之间是空气介质层和CMOS芯片的氧化硅介质层，使得 栅极与浮栅相对设置。

2.如权利要求1所述的低频振动测量装置，其特征在于，所述氧化硅介质 层中设有悬臂，所述质量块置于所述悬臂上，使质量块可以自由振动。

3.如权利要求1所述的低频振动测量装置，其特征在于，所述场效应管为 厚氧晶体管。

4.如权利要求1所述的低频振动测量装置，其特征在于，所述场效应管为 自然场效应管，所述自然场效应管直接内置于衬底上，其沟道掺杂浓度为 3×10¹⁵/cm³-1×10¹⁶/cm³。