[发明专利]一种应用于直流工作状态的数字电位器有效

专利信息
申请号: 200910107010.4 申请日: 2009-04-28
公开(公告)号: CN101877262A 公开(公告)日: 2010-11-03
发明(设计)人: 邓锦辉;刘桂云;胡小波;施爱群 申请(专利权)人: 辉芒微电子(深圳)有限公司
主分类号: H01C10/00 分类号: H01C10/00;H01C1/16
代理公司: 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 代理人: 郭伟刚
地址: 518057 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 应用于 直流 工作 状态 数字 电位器
【权利要求书】:

1.一种应用于直流工作状态的数字电位器,包括数字逻辑单元(6)和可变电阻器(4),所述的数字逻辑单元(6)进一步包括数字接口(1)、易失性存储器(2)、位置解码器(3),数字接口(1)连接易失性存储器(2),易失性存储器(2)连接位置解码器(3),位置解码器(3)连接可变电阻器(4),其特征在于,通过可变电阻器(4)的高端管脚、可变电阻器(4)的低端管脚连接直流电压,可变电阻器(4)的电阻高端连接数字逻辑单元(6)的电源线,可变电阻器(4)的电阻低端连接数字逻辑单元(6)的地线。

2.根据权利要求1所述的应用于直流工作状态的数字电位器,其特征在于,所述数字逻辑单元(6)还包括连接数字接口(1)的非易失性存储器(5)。

3.根据权利要求1或2所述的应用于直流工作状态的数字电位器,其特征在于,所述数字逻辑单元(6)是静态电流小于1微安的电路。

4.根据权利要求1所述的应用于直流工作状态的数字电位器,其特征在于,所述数字接口(1)是I2C、SPI或其它接口。

5.根据权利要求1所述的应用于直流工作状态的数字电位器,其特征在于,所述直流电压的电压差大于集成电路制造工艺的NMOS和PMOS阈值的绝对值之和。

6.根据权利要求1或2所述的应用于直流工作状态的数字电位器,其特征在于,还包括并联连接于可变电阻器(4)高端和低端的储能电路(7)。

7.根据权利要求6所述的应用于直流工作状态的数字电位器,其特征在于,所述储能电路(7)是电容。

8.根据权利要求1~7任一项所述的应用于直流工作状态的数字电位器,其特征在于,所述数字接口(1)、易失性存储器(2)、位置解码器(3)和可变电阻器(4)集成在同一块芯片上。

9.根据权利要求8所述的应用于直流工作状态的数字电位器,其特征在于,所述非易失性存储器(5)和储能电路(7)也与数字接口(1)、易失性存储器(2)、位置解码器(3)和可变电阻器(4)集成在同一块芯片上。

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