[发明专利]一种光源装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200910107058.5 申请日: 2009-05-05
公开(公告)号: CN101562224A 公开(公告)日: 2009-10-21
发明(设计)人: 魏培坤;姚永德;魏大华;许胜裕;周明德;林子斌;莫启能 申请(专利权)人: 深圳华映显示科技有限公司;中华映管股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;F21S2/00
代理公司: 深圳中一专利商标事务所 代理人: 张全文
地址: 518000广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 光源 装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种光源装置的制造方法,其特征在于,所述方法包括:

提供一基板,所述基板包括一发光元件区、及位于所述发光元件区周围的一周边区;

在所述基板上方形成一纳米岛状图案层;以及

在所述基板的所述发光元件区形成一发光元件;

其中,所述发光元件发射出一光线、且部分所述光线于所述基板中进行传输,而所述纳米岛状图案层使在所述基板中传输的光线向所述基板的外部出射;

形成所述纳米岛状图案层的步骤包括:

在所述基板上形成一纳米材料层;以及

加热所述纳米材料层,以使所述纳米材料层产生去湿润作用,而形成非周期性地排列的多个纳米岛状物。

2.如权利要求1所述的光源装置的制造方法,其特征在于,加热所述纳米材料层的时间是10分钟~60分钟,温度是200℃~400℃,所述基板上形成所述纳米材料层的方法包括溅镀法,所述纳米材料层的厚度为1纳米~20纳米。

3.如权利要求1所述的光源装置的制造方法,其特征在于,在所述基板上形成所述一纳米材料层的步骤之前,所述方法还包括:在所述基板上先形成所述发光元件的一第一电极层。

4.如权利要求1所述的光源装置的制造方法,其特征在于,所述纳米岛状图案层形成于所述基板的所述发光元件区或者形成于所述基板的所述周边区,所述纳米岛状图案层的材质包括金属,所述金属是选自于金、银、镍、铁及其组合。

5.一种光源装置,其特征在于,所述光源装置包括:

一基板,具有一发光元件区、及位于所述发光元件区周围的一周边区;

一纳米岛状图案层,配置于所述基板上方;以及

一发光元件,设置于所述发光元件区;

其中,所述发光元件发射出一光线、且部分所述光线于所述基板中进行传输,而所述纳米岛状图案层使在所述基板中传输的光线向所述基板的外部出射;

形成所述纳米岛状图案层的步骤包括:

在所述基板上形成一纳米材料层;以及

加热所述纳米材料层,以使所述纳米材料层产生去湿润作用,而形成非周期性地排列的多个纳米岛状物。

6.如权利要求5所述的光源装置,其特征在于,所述纳米岛状图案层包括非周期性地排列的多个纳米岛状物,所述纳米岛状图案层设置于所述基板的所述发光元件区或者所述基板的所述周边区,所述纳米岛状图案层的材质包括金属,所述金属是选自于金、银、镍、铁及其组合,所述纳米岛状图案层的厚度是介于1纳米~20纳米之间。

7.如权利要求5项所述的光源装置,其中所述发光元件包括:

一第一电极,配置于所述基板上;

一发光层,配置于所述第一电极的上方;以及

一第二电极,配置于所述发光层的上方。

8.如权利要求7项所述的光源装置,其特征在于,所述第一电极的材质包括铟锡氧化物或铟锌氧化物,所述第二电极的材质包括金属,所述发光层的材质包括经掺杂三(8-羟基喹啉)铝(AlQ3)的混合发光材质。

9.如权利要求8项所述的光源装置,其特征在于,所述光源装置还包括一空穴传输层,设置于所述第一电极与所述发光层之间,所述空穴传输层的材质包括N,N’-两(1-萘基)-N,N’两-(苯基)-对二氨基联苯(NPB);或者所述光源装置还包括一电子传输层,设置于所述发光层与所述第二电极之间,所述电子传输层的材质包括三(8-羟基喹啉)铝(AlQ3)。

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