[发明专利]一种使用PMMA滤光片的LED光源

权利要求书

1.一种具有截止紫外线和红外线双功能的PMMA滤光片的制备方法，其特征是包括如下步骤：

1)首先对待镀膜PMMA透明基材进行清洗、干燥后，进行预真空过渡；最后在真空设备中进行离子反溅射清洗，让加速离子轰击基片表面，去除杂质，得到清洁的PMMA透明基材；

2)然后采用磁控溅射镀制方法镀制膜层：

(1).配制截止紫外线和截止红外线的靶材：

截止紫外线靶材：由氧化钛(TiO₂)和氧化铈(CeO₂)组成，氧化钛和氧化铈的质量比为9∶1，并且两者纯度均为99.9％；将粉末状的氧化钛和氧化铈混合均匀并烧结成靶材，其中烧结靶材的工艺条件为：在真空热压烧结炉中以5℃/min自动升温，当温度达200℃时通入纯度99.995％的N₂，当温度为1050℃时，加压至15Mpa保温2h，之后随炉冷却至室温；

截止红外线靶材：低折射率薄膜靶材为纯度99.99％的硅；高折射率薄膜靶材为纯度99.99％的五氧化二钽；

(2).磁控溅射镀膜：在氧氩混合气体氛围中对PMMA透明基材进行磁控溅射镀膜，其中溅射沉积CeO₂/TiO₂复合薄膜的工艺条件为：混合气体为95％氩和5％氧，混合气体的纯度≥99.9％，溅射气体流量60cm³/s，溅射气压1.0Pa，背底真空度6.0×10^-5Pa，溅射功率60W，溅射时间3h，靶材与PMMA透明基材的间距为65mm；溅射沉积Ta₂O₅薄膜的工艺条件为：室温下通入氩气为溅射气体，氧气为反应气体，氩气与氧气的气体流量比例为16∶4，溅射功率100W，溅射气压0.2～1.0Pa；溅射沉积SiO₂薄膜的工艺条件为：靶材为纯度99.99％的硅，工作气体为纯度99.99％的氩气和氧气的混合气体，溅射气压为0.7Pa，溅射温度不高于250℃，溅射功率为110W，样品架与溅射靶面成45°角，间距连续可调，并且样品架无级变速旋转；采用下述三种方式之一进行镀膜：

(a)先由氧化钛-氧化铈靶材对PMMA透明基材进行磁控溅射镀内层膜，在此基础上，再由硅靶材和五氧化二钽靶材进行磁控溅射镀外层膜得到滤光片；

(b)先由硅靶材和五氧化二钽靶材对PMMA透明基材进行磁控溅射镀内层膜，在此基础上，再由氧化钛-氧化铈靶材进行磁控溅射镀外层膜得到滤光片；

(c)依一定次序在PMMA透明基材上镀若干层紫外线截止膜层和红外线截止膜层，得到滤光片。

2.根据权利要求1所述的滤光片的制备方法，其特征是所述的步骤2)中的PMMA透明基材镀膜时采用在线加热，热处理温度为20～160℃。

3.根据权利要求1所述的滤光片的制备方法，其特征在于可以制造任何形状的照明灯具，并且符合IEC 60825-2007和IEC 62471-2006，以及光辐射安全国家标准：GB/T 20145-2006“灯与灯系统的光生物安全性”。