[发明专利]一种分立发光二极管的外延片及其制造方法

权利要求书

1.一种分立发光二极管的外延片，包括：衬底、外延层，所述外延层为依次形成在衬底表面之上的第一类型半导体层、发光层、第二类型半导体层，其特征在于，在衬底和第一类型半导体层之间还形成有网格导电层，所述网格导电层具有第二网状结构和在第二网状结构网格中形成的用于引出电极的第一网状结构，所述外延层是分立排布在第二网状结构网格中。

2.根据权利要求1所述的分立发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延层与衬底之间还形成有缓冲层。

3.根据权利要求1所述的分立发光二极管的外延片，其特征在于，所述网格导电层的平均厚度为5～5000纳米。

4.根据权利要求1所述的分立发光二极管的外延片，其特征在于，所述网格导电层的材料是金属钨、钼、钛、铜、镍、钽、铌、铝、银、铁、钴、锆、钇中的一种或所述金属的合金。

5.根据权利要求1所述的分立发光二极管的外延片，其特征在于，所述网格导电层的材料是非金属导电材料。

6.根据权利要求1所述的分立发光二极管的外延片，其特征在于，所述网格导电层是单导电层结构或者多导电层层叠结构。

7.根据权利要求1所述的分立发光二极管的外延片，其特征在于，所述第二网状结构网格的形状为多边形、椭圆形和圆形中的一种。

8.根据权利要求1所述的分立发光二极管的外延片，其特征在于，所述第二网状结构具有第二网状结构网格线，所述第二网状结构网格线平均线宽为5～1000微米。

9.根据权利要求1所述的分立发光二极管的外延片，其特征在于，所述第一网状结构包括与第二网状结构连接的多个不相交的第一网状结构网格线和与第二网状结构网格线连接的电极引出块。

10.根据权利要求1所述的分立发光二极管的外延片，其特征在于，所述第一网状结构具有第一网状结构网格线和电极引出块，所述第一网状结构网格线形成有第一网状结构网格，所述第一网状结构网格线与电极引出块电连接。

11.根据权利要求10所述的分立发光二极管的外延片，其特征在于，所述电极引出块位于第二网状结构网格的中心或者某角区域。

12.根据权利要求1所述的分立发光二极管的外延片，其特征在于，所述网格导电层还具有第三网状结构，所述第三网状结构将衬底表面区域分成若干块，每块区域里面分布有第二网状结构。

13.根据权利要求12所述的分立发光二极管的外延片，其特征在于，所述第三网状结构具有第三网状结构网格线，所述第三网状结构网格线平均宽度为200～5000微米。

14.根据权利要求9至11任一项所述的分立发光二极管的外延片，其特征在于，第一网状结构网格线平均线宽是1～20微米。

15.根据权利要求1至13任一项所述的分立发光二极管的外延片，其特征在于，所述第一类型为N型。

16.根据权利要求1至13任一项所述的分立发光二极管的外延片，其特征在于，所述第一类型为P型。

17.权利要求1所述的分立发光二极管的外延片的制造方法，其特征在于，包括步骤：

A，提供一衬底；

B，在衬底上生长或沉积一掩膜层；

C，在所述掩膜层上制造网状光刻胶层，所述光刻胶层具有第二网状结构和分布于第二网状结构网格中的第一网状结构；

D，去除所述光刻胶层露出的掩膜层。

E，去除所述光刻胶层，露出掩膜层，所述露出的掩膜层形成网格导电层；

F，在暴露出的所述衬底上生长一外延层，所述外延层依次为形成于衬底之上的第一类型半导体层、发光层、第二类型半导体层。

18.根据权利要求17所述的制造方法，其特征在于，步骤F中，在生长外延层之前，生长一层缓冲层。

19.根据权利要求17所述的制造方法，其特征在于，所述掩膜层的平均厚度是5～5000纳米。

20.根据权利要求17所述的制造方法，其特征在于，所述掩膜层是单导电层结构或者多导电层层叠结构。