[发明专利]一种实现自带死区的压控振荡器的电路及谐振型电源有效

专利信息
申请号: 200910107240.0 申请日: 2009-05-08
公开(公告)号: CN101882909A 公开(公告)日: 2010-11-10
发明(设计)人: 陈青昌 申请(专利权)人: 深圳迈瑞生物医疗电子股份有限公司
主分类号: H03B1/00 分类号: H03B1/00;H03L7/00;H03F3/45;H03M7/44;H02M5/42
代理公司: 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 代理人: 郭燕
地址: 518057 广东省深圳市南*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 实现 死区 压控振荡器 电路 谐振 电源
【权利要求书】:

1.一种实现自带死区的压控振荡器的电路,包括用于实现自带死区的压控振荡器模块以及与所述压控振荡器模块相连的第一振荡器电阻和充放电电容,所述压控振荡器模块由PWM控制输出驱动脉冲,所述第一振荡器电阻的另一端连接所述充放电电容的第一端,所述充放电电容的第二端接地,其特征在于,所述电路还包括吸电流可控电流源,所述吸电流可控电流源的电流流入端连接压控振荡器模块,所述吸电流可控电流源的电流流出端接地,所述吸电流可控电流源的控制端用于输入控制量,所述吸电流可控电流源根据所述控制量的大小从所述压控振荡器模块汲取电流。

2.如权利要求1所述的电路,其特征在于,所述吸电流可控电流源包括放大器、三极管和电阻,所述三极管耦合在压控振荡器模块和所述电阻的第一端之间,所述电阻的第二端接地,所述三极管的控制极连接所述放大器的输出端,所述放大器的输入端输入控制电压。

3.如权利要求2所述的电路,其特征在于,所述放大器为运算放大器,所述三极管为金属氧化物半导体场效应管MOSFET,所述MOSFET的漏极耦合到压控振荡器模块,所述MOSFET的源极耦合到所述电阻的第一端,所述MOSFET的栅极耦合到所述运算放大器的输出端,所述放大器的同相输入端输入控制电压,所述放大器的反相输入端输入反馈电压。

4.如权利要求1至3中任一项所述的电路,其特征在于,所述压控振荡器模块为PWM控制的压控振荡IC。

5.一种实现自带死区的压控振荡器的电路,包括用于实现自带死区的压控振荡器模块以及与所述压控振荡器模块相连的第二振荡器电阻和充放电电容,所述压控振荡器模块由PWM控制输出驱动脉冲,所述第二振荡器电阻的另一端连接所述充放电电容的第二端,所述充放电电容的第二端接地,其特征在于,所述电路还包括吸电流可控电流源,所述吸电流可控电流源的电流流入端连接压控振荡器模块,所述吸电流可控电流源的电流流出端连接所述充放电电容的第一端,所述吸电流可控电流源的控制端用于输入控制量,所述吸电流可控电流源根据所述控制量的大小从所述压控振荡器模块汲取电流。

6.一种谐振型电源,其特征在于,包括如权利要求1至5中任一项所述的电路。

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