[发明专利]主动元件阵列基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明属于显示面板技术领域，尤其涉及一种主动元件阵列基板的制造方法元件。 

背景技术

液晶显示面板主要由主动元件阵列基板、彩色滤光基板和液晶层所构成，其中主动元件阵列基板例如是由多个阵列排列的像素结构所组成。为了控制个别的像素结构，通常会经由扫描配线(scan line)与数据配线(data line)以选取特定的像素结构，并提供适当的操作电压，以显示对应此像素结构的显示数据。 

特别是为了保持像素结构的操作电压，以增进显示质量，通常在各像素结构中会将像素电极的部分区域覆盖在扫描线或是电容电极上，以形成储存电容。 

图1A为现有的主动元件阵列基板的像素结构的上视图。图1B为沿图1A的I-I’线的剖面示意图。请同时参照图1A与图1B，在此主动元件阵列基板的像素结构10中，储存电容70主要是通过电容电极30与其上方的像素电极40耦合而成。在电容电极30与像素电极40之间配置有闸绝缘层32及保护层60，而形成金属层/绝缘层/铟锡氧化物层(MII)架构的储存电容70。 

储存电容70主要用以稳定像素结构10的数据电压，以提升液晶显示器的显示质量。当储存电容值越大，其稳定像素结构10的数据电压的效果越好。有研究者提出一种增加像素结构10的储存电容值的方法，亦即增加电容电极30与像素电极40的重迭面积。然而，此种方法容易导致像素结构10的开口率(aperture ratio)减少，使得液晶显示器所显示的影像容易产生亮度不足的问题。 

发明内容

本发明的目的在于提供一种主动元件阵列基板的制造方法，旨在解决现有技术在不影响像素的开口率的前提下不能提高储存电容值的问题。 

本发明提出一种主动元件阵列基板的制造方法。首先，在基板上形成栅极及电容电极。接着，在基板上形成第一绝缘层覆盖栅极及电容电极。然后，在栅极上方的第一绝缘层上形成通道层。随之，在通道层上形成源极与漏极，且源极与漏极分别位于栅极的两侧。再者，在基板上全面地形成第二绝缘层。继之，在基板上形成图案化光阻层。之后，在一制程时间内，以图案化光阻层为罩幕移除位于漏极上方及电容电极上方的第二绝缘层以形成接触窗及开口，其中接触窗暴露出漏极，而开口暴露出位于电容电极上方的第一绝缘层。接着，在基板上形成像素电极，且像素电极透过接触窗电性连接漏极并填入开口中。像素电极、电容电极及位于像素电极与电容电极之间的第一绝缘层构成储存电容。 

在本发明的一实施例中，上述的移除部份第二绝缘层以形成接触窗及开口的方法包括：进行一干蚀刻制程。 

在本发明的一实施例中，通过控制上述的制程时间使位于电容电极上方且被图案化光阻层暴露出来的第二绝缘层恰好完全移除。 

在本发明的一实施例中，上述的形成图案化光阻层的方法包括：先在第二绝缘层上形成一光阻材料层。接着，以光罩为罩幕图案化光阻材料层以形成图案化光阻层，其中，光罩具有多个光罩图案，且光罩图案其中的一设置在漏极上方，而光罩图案其中的另一设置在电容电极上方。 

在本发明的一实施例中，上述的主动元件阵列基板的制造方法还包 括：在源极与通道层之间及漏极与通道层之间形成欧姆接触层。 

本发明另提出一种主动元件阵列基板的制造方法。首先，在基板上形成栅极、电容电极及第一导电接垫。接着，在基板上形成第一绝缘层，且第一绝缘层覆盖栅极、电容电极及第一导电接垫。然后，在栅极上方的第一绝缘层上形成通道层。接着，在通道层上形成源极与漏极，并同时在第一绝缘层上形成第二导电接垫，其中，源极与漏极分别位于栅极的两侧，而第二导电接垫邻近第一导电接垫。之后，在基板上全面地形成第二绝缘层。继之，在第二绝缘层上形成图案化光阻层。然后，以图案化光阻层为罩幕进行第一蚀刻制程，移除位在第二导电接垫上方以及第一导电接垫上方的第二绝缘层，以暴露出第二导电接垫及位于第一导电接垫上方的第一绝缘层。随之，以图案化光阻层为罩幕进行第二蚀刻制程，移除第一导电接垫上方的第一绝缘层以暴露出第一导电接垫，同时移除漏极上方及电容电极上方的第二绝缘层以形成接触窗以及开口，其中接触窗暴露出漏极，而开口暴露出位于电容电极上方的第一绝缘层。之后，在第二绝缘层上形成图案化电极层，且图案化电极层包括像素电极及连接电极。像素电极透过接触窗电性连接漏极并填入开口中，而连接电极将第一导电接垫及第二导电接垫电性连接。像素电极、电容电极及位在像素电极与电容电极之间的第一绝缘层构成储存电容。 

在本发明的一实施例中，以第二导电接垫作为第一蚀刻制程的蚀刻终止层。