[发明专利]一种在氧化铟锡玻璃基板上形成铬铝铬金属走线的方法

说明书

技术领域

本发明涉及到一种氧化铟锡即ITO(Indium-Tin Oxide)玻璃基板上形成铬铝铬金属走线的方法。

背景技术

铝类金属及其合金材料价格便宜且电阻非常低，适合于作为金属走线，因此在薄膜场效应晶体管即TFT(Thin Film Transistor)及电容式触摸屏中得到广泛的使用，尤其是电容式触摸屏近年来成为手机技术热点，具有较好的市场前景。

然而，由于纯铝或铝合金本身容易被腐蚀和氧化等问题，常用金属铬或铬合金与铝或铝合金一起在ITO表面形成铝铬复合金属沉积层，然后经刻蚀形成金属走线即电路。现有的一种在ITO玻璃基板上的铝铬复合金属沉积层依次为第一铬层、铝层、第二铬层，与ITO玻璃基板相接触的一相对铝层较薄的第一铬层用以改善铝或铝合金层在ITO上的附着力，因为铝或铝合金直接镀制在ITO上时附着力较低。而覆盖在铝层表面的另外一相对铝层较薄的第二铬层用以保护铝层，因为铝或铝合金强度不高，制作电路时容易被划伤造成断路，而铬或铬合金的强度相对较大。

专利申请(CN200910105503.4)中采用了一种蚀刻液对上述铬层、铝层、铬层即铬铝铬层进行一次蚀刻即可以得到金属走线的方法。所述的蚀刻液，其成分以其总重量为基准，包括：5～30wt％的硝酸铈铵，10～40wt％的磷酸，2～20wt％的硝酸。但是上述蚀刻液存在蚀刻速度慢，导致光致抗蚀剂长时间浸泡在蚀刻液中，将会使部分光致抗蚀剂脱落，导致部分金属走线蚀刻效果不佳。

发明内容

本发明要解决的技术问题是形成铬铝铬金属走线的蚀刻速度较慢且蚀刻效果较差的问题。本发明提供一种蚀刻速度较现有技术较快，同时蚀刻精度较好的形成铬铝铬金属走线的蚀刻方法。

本发明将提供一种形成铬铝铬金属走线的方法，特别涉及到一种在ITO玻璃基板上形成铬铝铬金属走线的方法。

一种在氧化铟锡玻璃基板上形成铬铝铬金属走线的方法，在氧化铟锡玻璃基板上依次覆有第一铬层、铝层、第二铬层形成铬铝铬层，印刷光致抗蚀剂用于将形成铬铝铬金属走线的部分进行保护，将覆有铬铝铬层的玻璃基板至少依次与含有硝酸铈铵的铬蚀刻液蚀刻、铝蚀刻液蚀刻、含有硝酸铈铵的铬蚀刻液接触蚀刻，脱膜剂去除光致抗蚀剂，得到带有铬铝铬金属走线氧化铟锡玻璃基板。

在本发明中，层叠膜采用三次分步蚀刻的方式，避免了由于层叠膜中各金属的电极位不同而造成蚀刻速度不同的影响，蚀刻速度非常快，对光致蚀刻剂无影响，且不会对玻璃基板上的ITO造成伤害。

附图说明

图1为该铬类金属膜层结构截面示意图；

图2为在该膜层上形成金属走线掩膜图案的膜层截面示意图；

图3为蚀刻掉最上层Cr膜后的膜层截面示意图；

图4为蚀刻掉中间Al膜后的膜层截面示意图；

图5为蚀刻最下层Cr膜后的膜层截面示意图。

其中，1为玻璃基板，2为ITO层，3为第一Cr层，4为Al层，5为第二Cr层，6为光致抗蚀剂层。

具体实施方式

一种在氧化铟锡玻璃基板上形成铬铝铬金属走线的方法，在氧化铟锡玻璃基板上依次覆有第一铬层、铝层、第二铬层形成铬铝铬层，印刷光致抗蚀剂用于将形成铬铝铬金属走线的部分进行保护，将覆有铬铝铬层的玻璃基板至少依次与含有硝酸铈铵的铬蚀刻液蚀刻、铝蚀刻液蚀刻、含有硝酸铈铵的铬蚀刻液接触蚀刻，脱膜剂去除光致抗蚀剂，得到带有铬铝铬金属走线氧化铟锡玻璃基板。所述的接触方式为本领域的技术人员常见的蚀刻接触方式，如喷淋。

所述覆有铬铝铬层的玻璃基板依次经过铬蚀刻液接触蚀刻、水洗、铝蚀刻液接触蚀刻、水洗、铬蚀刻液接触蚀刻、水洗、干燥得到带有铬铝铬金属走线氧化铟锡玻璃基板。

以铬蚀刻液的总量计，所述铬蚀刻液为含有5wt％～30wt％的硝酸铈铵的水溶液。

所述铬蚀刻液还含有冰乙酸，用来增加蚀刻液与金属的亲密性，或者说是改善蚀刻剂对疏水性光致抗蚀剂的亲和力，使蚀刻液能够渗透入光致抗蚀剂的线缝中对金属进行蚀刻。

所述铝蚀刻液为含有磷酸的水溶液，以铝蚀刻液的总量计，所述铝蚀刻液为含有30wt％-80wt％磷酸的水溶液。

所述铝蚀刻液还含有硝酸、醋酸、钾离子、钠离子中的一种或几种。

所述第一铬层的厚度为20-50纳米。

所述第二铬层的厚度为50纳米。

所述铝层的厚度大于0且小于1微米。

下面将结合图形对本专利所述的具体实施方法进行详细地说明。