[发明专利]半灰阶掩模板半曝光区的设计方法及其制造方法

权利要求书

1.一种半灰阶掩模板半曝光区的设计方法，将半灰阶掩模板的半曝光区设计形成曝光数据图，所述曝光数据图具有半曝光设计区，根据具有半透过膜层的掩模材料在所述半曝光区仅一次曝光所需的光透过量，来设计半曝光设计区的图形形状。

2.如权利要求1所述的半灰阶掩模板半曝光区的设计方法，其特征在于，所述半曝光设计区具有透光部和非透光部，所述透光部或者非透光部通过调整形状、间距、大小或排布方式来调节所述光透过量。

3.如权利要求2所述的半灰阶掩模板半曝光区的设计方法，其特征在于，所述透光部或非透光部沿X方向，或者Y方向，或者XY方向，或者马赛克方式、或者斜线方式、或者混合排布的方式。

4.如权利要求2所述的半灰阶掩模板半曝光区的设计方法，其特征在于，所述透光部或非透光部呈圆形、或者环形、或者方形、或者椭圆形。

5.如权利要求1所述的半灰阶掩模板半曝光区的设计方法，其特征在于，通过对所述半曝光区的边缘形状设计，来改变所述半曝光区的光透过量。

6.一种半灰阶掩模板制造方法，包括二次刻蚀工艺步骤，其特征在于，在二次刻蚀工艺之前采用以下处理流程：

(1)投入掩模材料，所述掩模材料具有半透过膜层和光刻胶膜层；

(2)采用如权利要求1所述的曝光数据图进行一次曝光；

(3)一次显影；

(4)一次刻蚀；

(5)掩模板清洗；

(6)灰化工艺。

7.如权利要求6所述的半灰阶掩模板制造方法，其特征在于，所述曝光数据图的半曝光设计区具有透光部和非透光部，所述透光部或非透光部通过调整形状、间距、大小或排布方式来调节所述光透过量。

8.如权利要求7所述的半灰阶掩模板制造方法，其特征在于，经过灰化工艺后，将半曝光区的光刻胶去掉，露出紧附于光刻胶膜层下面的薄膜层；经过二次刻蚀后，将露出附在于半透过膜层上面的薄膜层去掉，保留所述半透过膜层。

9.如权利要求6所述的半灰阶掩模板制造方法，其特征在于，所述掩模材料包括依次设置的石英玻璃层、半透过膜层、ES层、铬与氧化铬膜层和光刻胶膜层。

10.如权利要求6-9任一项所述的半灰阶掩模板制造方法，其特征在于，所述二次刻蚀工艺后，还包含以下处理工艺：光刻胶剥离、掩模板清洗、检查修复、贴膜和包装出货工序。