[发明专利]一种闪存的存取方法、一种可携式记忆装置及其控制器

说明书

技术领域

本发明涉及闪存(Flash Memory)的存取(Access)，特别涉及一种闪存的存取方法、一种可携式记忆装置及其控制器。

背景技术

近年来由于闪存的技术不断地发展，各种可携式记忆装置(例如：符合SD/MMC、CF、MS、XD标准的记忆卡)被广泛地用于诸多应用中。因此，这些可携式记忆装置中的闪存的存取控制成为相当热门的议题。

以常用的NAND型闪存而言，其主要可区分为单阶细胞(Single Level Cell，SLC)与多阶细胞(Multiple Level Cell，MLC)两大类的闪存。单阶细胞闪存中的每个被当作记忆单元的晶体管只有两种电荷值，分别用来表示逻辑值0与逻辑值1。另外，多阶细胞闪存中的每个被当作记忆单元的晶体管的存储能力则被充分利用，是采用较高的电压来驱动，以通过不同级别的电压在一个晶体管中记录两组位信息(00、01、11、10)；理论上，多阶细胞闪存的记录密度可以达到单阶细胞闪存的记录密度的两倍，这对于曾经在发展过程中遇到瓶颈的NAND型闪存的相关产业而言，是非常好的消息。

相比于单阶细胞闪存，由于多阶细胞闪存的价格较便宜，并且在有限的空间里可提供较大的容量，故多阶细胞闪存很快地成为市面上的可携式记忆装置竞相采用的主流。然而，多阶细胞闪存的不稳定性所导致的问题也一一浮现。例如：依据相关技术，一旦闪存因使用多时而质量变差，使用者的数据就可能随时会遗失。尤其是，相比于单阶细胞闪存，多阶细胞闪存中的每一区块的抹除次数(Erase Count)的上限相对地低，这会使得上述的不稳定性的问题更加被突显。

需要注意的是，闪存的每一区块的抹除次数的上限会随着制程尺度缩小而降低。然而，制程尺度的缩小往往是闪存制造厂商降低成本的重要手段；在此状况下，上述的不稳定性的问题将会更加严重。因此，需要一种新颖的方法来加强控管闪存的数据存取，以确保使用者数据的完整性。

发明内容

因此本发明的目的之一在于提供一种闪存(Flash Memory)的存取方法、一种可携式记忆装置及其控制器，以解决上述问题。

本发明的另一目的在于提供一种闪存的存取方法、一种可携式记忆装置及其控制器，以在闪存因制程变化(例如制程的尺度缩小)而质量变差的状况下仍能维持资料存取(Access)的效能。

本发明的又一目的在于提供一种闪存的存取方法、一种可携式记忆装置及其控制器，以减缓闪存中的区块的抹除次数(Erase Count)的增加速率。因此，利用本发明所实现的可携式记忆装置会拥有较长的使用寿命。

本发明的较佳实施例中提供一种闪存的存取方法，该方法包含有：提供一随机存取内存(Random Access Memory，RAM)；利用该随机存取内存暂时地存储至少一虚拟快闪区块(Virtual Flash Block)；以及选择性地将该虚拟快闪区块的数据移动到该闪存，以在该闪存中写入至少一新页。

本发明在提供上述方法的同时，也对应地提供一种可携式记忆装置，其包含有：一闪存；一随机存取内存；以及一控制器，用来存取该闪存，其中该控制器利用该随机存取内存暂时地存储至少一虚拟快闪区块；其中该控制器选择性地将该虚拟快闪区块的数据移动到该闪存，以在该闪存中写入至少一新页。

本发明在提供上述方法的同时，也对应地提供一种可携式记忆装置的控制器，该控制器是用来存取一闪存，该控制器包含有：一只读存储器(Read OnlyMemory，ROM)，用来存储一程序代码；以及一微处理器，用来执行该程序代码以控制对该闪存的存取；其中通过该微处理器执行该程序代码的该控制器利用一随机存取内存暂时地存储至少一虚拟快闪区块；以及通过该微处理器执行该程序代码的该控制器选择性地将该虚拟快闪区块的数据移动到该闪存，以在该闪存中写入至少一新页。

附图说明

图1是本发明一第一实施例的一可携式记忆装置的示意图；

图2是发明一实施例的一种用来增进一闪存(Flash Memory)的效能的方法的流程图；

图3与图4是本发明一实施例中关于图2所示的方法的工作流程。

【主要组件符号说明】

100     可携式记忆装置

110     内存控制器

112     微处理器

112C    程序代码

112M    只读存储器

114     控制逻辑

116     缓冲存储器

118     接口逻辑

120     闪存