[发明专利]一种太阳能电池减反射膜及其制备方法有效
| 申请号： | 200910109564.8 | 申请日： | 2009-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN101989623A | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | 庞宏杰;胡宇宁;王胜亚;姜占锋 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0232;H01L31/18 |
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| 地址： | 518118 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 减反射膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种太阳能电池减反射膜，其包括沉积在硅片正表面的氮化硅薄膜，所述氮化硅薄膜的平均折射率为2.1-2.3，平均反射率为1％-10％。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池减反射膜，其特征在于：所述太阳能减反射膜的厚度为50-90nm。
3.一种如权利要求1所述的太阳能电池减反射膜的制备方法，其包括第一次镀膜、冷却、第二次镀膜；其中镀膜包括前钝化、沉积氮化硅、后钝化。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池减反射膜的制备方法，其特征在于：其中，第一次镀膜时间为第二次镀膜时间的0.01-1倍；所述镀膜时间是指镀膜中沉积氮化硅的时间。
5.根据权利要求3所述的太阳能电池减反射膜的制备方法，其特征在于：所述前钝化和后钝化的时间比为0.1-10。
6.根据权利要求3所述的太阳能电池减反射膜的制备方法，其特征在于：所述钝化包括抽真空至4Pa以下，升温至300-500℃并保持恒温；然后通入氨气，高频放电。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池减反射膜的制备方法，其特征在于：所述高频放电的电源功率为1000-5000W。
8.根据权利要求6所述的太阳能电池减反射膜的制备方法，其特征在于：所述氨气的流量为1000-5000sccm。
9.根据权利要求3所述的太阳能电池减反射膜的制备方法，其特征在于：所述沉积氮化硅包括通入SiH4和NH3，高频放电，进行沉积；其中SiH4和NH3的流量比为1∶2-1∶12。
10.根据权利要求9所述的太阳能电池减反射膜的制备方法，其特征在于：沉积氮化硅的温度为300-500℃，压强为100-500Pa。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
