[发明专利]光学临近效应修正方法

说明书

【技术领域】

本发明涉及半导体工业中的光刻技术，尤其涉及一种光学临近效应修正方法。

【背景技术】

一个版图中按照对关键尺寸(Critical Dimension，CD)控制精度的不同，可以划分为多个区域。在对掩膜图形做光学临近效应修正(Optical ProximityCorrection，OPC)时，需要选择不同的修正精度才能满足关键尺寸控制的要求。但是，光学临近效应修正的精度越高，程序运行耗时越长。

请参见图1，传统的光学临近效应修正技术会根据关键尺寸控制精度要求最高的部分来确定整体的光学临近效应修正精度，假设图1中各区域所要求的关键尺寸控制精度的关系是：竖条区域(C5、C6)＞斜纹区域(C1、C9)＞空白区域(C2、C3、C4、C7、C8、C10)，就将竖条区域的关键尺寸控制精度作为光学临近效应修正的标准。这样虽然能够保证修正精度，但对斜纹区域和空白区域来说，却是采用了过高的修正精度，增加了光学临近效应修正系统的运行时间，降低了生产效率。

申请号为200610024872.7的中国专利公开了一种修正光学临近效应的图形分割方法，但其仅适用于接触孔图形的分割，且分割图形的判据是禁止间距。

【发明内容】

传统的光学临近效应修正技术在关键尺寸控制精度要求相对较低的区域，使用了过高的修正精度，无谓地增加了光学临近效应修正系统的运行时间。因此，有必要提供针对关键尺寸控制精度不同的区域采用不同的修正精度的光学临近效应修正方法。

一种光学临近效应修正方法，包括：根据关键尺寸控制精度的不同，将一个版图划分为至少二个区域；对所述至少二个区域，分别按照其关键尺寸控制精度的要求进行光学临近效应修正，并且对关键尺寸控制精度相同的区域采用相同的修正精度。

优选的，还包括分解所述划分后的至少二个区域及将修正后的所述至少二个区域按照原本的组合形式嵌合在一起的步骤。

优选的，所述分解所述划分后的至少二个区域是将关键尺寸控制精度相同、而又在版图中相邻的部分，保持原连接状态从版图中分离出来，形成一个区域；将关键尺寸控制精度相同而又不相邻的部分，分别从版图中分离出来，形成分离的区域。

上述光学临近效应修正方法对于关键尺寸控制精度要求不同的区域，使用不同的精度进行光学临近效应修正，实现了修正精度的按需分配，既满足了修正的精度需求，又有效地缩短了光学临近效应修正系统的运行时间，提高了生产效率。

【附图说明】

图1为传统技术对版图做光学临近效应修正的示意图。

图2为光学临近效应修正方法第一实施方式示意图。

图3为光学临近效应修正方法第二实施方式示意图。

【具体实施方式】

下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式的详细描述，将使本发明的技术方案及其他有益效果显而易见。

光学临近效应修正方法为将一个版图按照关键尺寸控制精度的不同，划分为多个区域。图2是光学临近效应修正方法第一实施方式的示意图。假设竖条区域(C5、C6)对关键尺寸控制精度要求为高，斜纹区域(C1、C9)对关键尺寸控制精度要求为中等，空白区域(C2、C3、C4、C7、C8、C10)对关键尺寸控制精度要求为低，那么就将该版图按照关键尺寸控制精度的不同进行分解。在优选的分解方式中，将关键尺寸控制精度相同、而又在版图中相邻的部分，保持原连接状态从版图中分离出来，形成一个区域；将关键尺寸控制精度相同而又不相邻的部分，分别从版图中分离出来，形成分离的区域。分解后对分离出来的各个区域分别做光学临近效应修正，即竖条区域采用高修正精度，斜纹区域采用中等修正精度，空白区域采用低修正精度。光学临近效应修正完成后，再将各个区域按照原来的组合形式嵌合在一起，就得到了完整的光学临近效应修正后的版图。

图3为光学临近效应修正方法第二实施方式的示意图。其与第一实施方式的主要区别在于：不对版图进行分解，而是在完整的版图上，按照关键尺寸控制精度的不同，分别做光学临近效应修正。省去了分解、嵌合的步骤。

与传统的光学临近效应修正方法相比，上述光学临近效应修正方法对于关键尺寸控制精度要求不同的区域，使用不同的修正精度进行修正，实现了修正精度的按需分配，既满足了光学临近效应修正的精度需求，又有效地缩短了光学临近效应修正系统的运行时间，提高了生产效率。

以上所述实施方式仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。