[发明专利]二维设计图形曝光后形变效应补偿方法有效
申请号: | 200910109778.5 | 申请日: | 2009-11-20 |
公开(公告)号: | CN102073210A | 公开(公告)日: | 2011-05-25 |
发明(设计)人: | 黄旭鑫;王瑾恒 | 申请(专利权)人: | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 何平 |
地址: | 214000 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 二维 设计 图形 曝光 形变 效应 补偿 方法 | ||
1.一种二维设计图形曝光后严重形变效应补偿方法,包括如下步骤:
建立二维设计图形,设定需要补偿的关键尺寸边缘放置误差;
在设计图形上先取一个点作为第一采样点,然后以第一采样点每隔预定间隔取采样点对设计图形进行分割;
用光学接近修正术进行修正和仿真,得出所述采样点的边缘放置误差;
建立标准光学接近修正模型,选取所述采样点中边缘放置误差最接近关键尺寸边缘放置误差的采样点作为补偿边缘放置误差的计算点。
2.根据权利要求1所述的二维设计图形曝光后形变效应补偿方法,其特征在于:所述第一采样点为设计图形边的中心。
3.根据权利要求1所述的二维设计图形曝光后形变效应补偿方法,其特征在于:所述预定间隔为30nm。
4.根据权利要求1所述的二维设计图形曝光后形变效应补偿方法,其特征在于:所述选取的计算点位于设计图形边的1/4处。
5.根据权利要求1所述的二维设计图形曝光后形变效应补偿方法,其特征在于:所述二维设计图形曝光后严重形变效应补偿方法应用在0.13节点的光刻工艺中。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备