[发明专利]一种集成三极管及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200910110115.5 申请日: 2009-11-06
公开(公告)号: CN101714544A 公开(公告)日: 2010-05-26
发明(设计)人: 邵士成;杨晓智;陈永晚;李建球 申请(专利权)人: 深圳市鹏微科技有限公司
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L21/50
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 刘健;黄韧敏
地址: 518000 广东省深圳市福田区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 集成 三极管 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及电子元器件领域,尤其涉及一种集成三极管及其制造方法。

背景技术

在开关电源电路中,特别是电流镇流器电路中广泛采用开关功率三极管基极与发射极间反向并接二极管的结构,现有技术大多采用的是分立的二极管和三极管组合使用,但采用分立的二极管和三极管占用更多的PCB(PrintedCircuit Board,印刷线路板)空间不利于产品的小型化,且两个器件独立封装浪费更多的成本和材料。电路工程师一直希望器件供应商能够提供一种三极管BE极间集成反向并接二极管复合器件,但由于功率三极管的集电极与二极管的隔离通过半导体工艺单片集成极难实现,封装集成一般采用陶瓷片隔离,由于工艺复杂、成本高和成品率低,业界一直没有制造成功这种三极管BE极间集成反向并接二极管的复合器件。

综上可知,现有三极管在实际使用上,显然存在不便与缺陷,所以有必要加以改进。

发明内容

针对上述的缺陷,本发明的目的在于提供一种集成三极管及其制造方法,其实现了将三极管与二极管集成在一起作为集成元器件使用,利于产品的小型化,更加节省材料和制作成本。

为了实现上述目的,本发明提供一种集成三极管,包括用于封装的壳体,所述壳体内设有具有导电性的载片区、第一引脚、第二引脚以及第三引脚,所述第一引脚与所述载片区连接,所述三极管芯片粘接于所述载片区,所述二极管芯片粘接于所述第二引脚,所述三极管芯片、所述二极管芯片、所述第二引脚以及所述第三引脚之间通过多根导线连接,且所述二极管芯片反向并接于所述三极管芯片的发射极与基极之间,所述第一引脚、第二引脚以及第三引脚部分显露于所述壳体外。

根据本发明的集成三极管,所述三极管通过焊接的方式粘接于所述载片区,所述二极管芯片通过焊接的方式粘接于所述第二引脚。

根据本发明的集成三极管,所述三极管芯片包括显露于所述载片区外的第一极、第二极以及与粘接于所述载片区的第三极;所述二极管芯片包括显露于所述第二引脚外的第一端和粘接于所述第二引脚的第二端。

根据本发明的集成三极管,所述三极管芯片的第一极为基极,第二极为发射极,第三极为集电极;所述第一引脚为所述集成三极管的集电极。

根据本发明的集成三极管,所述三极管芯片的第一极与所述第二引脚连接;所述三极管芯片的第二极、所述二极管芯片的第一端以及所述第三引脚之间串接。

根据本发明的集成三极管,所述二极管芯片的第一端为正端,第二端为负端;所述第二引脚为所述集成三极管的基极,所述第三引脚为所述集成三极管的发射极。

根据本发明的集成三极管,所述三极管芯片的第二极与所述第二引脚连接;所述三极管芯片的第一极、所述二极管芯片的第一端以及所述第三引脚之间串接。

根据本发明的集成三极管,所述二极管芯片的第一端为负端,第二端为正端;所述第二引脚为所述集成三极管的发射极,所述第三引脚为所述集成三极管的基极。

根据本发明的集成三极管,所述载片区、第一引脚、第二引脚以及第三引脚所形成的平面与所述导线之间具有一弯曲的弧度,且所述导线不与所述载片区以及第一引脚接触,所述导线之间也互不接触。

本发明相应提供一种集成三极管的制造方法,所述集成三极管包括用于封装的壳体,所述壳体内设有具有导电性的载片区、第一引脚、第二引脚以及第三引脚,所述第一引脚与所述载片区连接,所述三极管芯片粘接于所述载片区,所述二极管芯片粘接于所述第二引脚,所述三极管芯片、所述二极管芯片、所述第二引脚以及所述第三引脚之间通过多根导线连接,且所述二极管芯片反向并接于所述三极管芯片的发射极与基极之间,所述第一引脚、第二引脚以及第三引脚部分显露于所述壳体外。

本发明通过将第一引脚与载片区连接作为集成三极管的集电极,而第二引脚以及第三引脚不与粘接有三极管芯片的载片区连接,二极管芯片粘接在所述集成三极管的第二引脚上,再通过导线将二极管芯片与三极管芯片以及第二引脚以及第三引脚连接,使二极管芯片反向并接在三极管芯片的基极和发射极之间,第二引脚以及第三引脚分别作为集成三极管的基极或发射极,然后将三极管芯片、二极管芯片以及导线封装在壳体内,实现了将三极管与二极管集成在一起作为集成元器件使用,利于产品的小型化;同时,避开传统的将三极管集电极与二极管的隔离通过半导体工艺单片集成这一复杂的工艺,本发明更加易于实现,从而节省了材料和制作成本。

附图说明

图1是本发明集成三极管的外观图;

图2是本发明集成三极管的平面剖视图;

图3是本发明集成三极管的内部立体结构图;

图4是本发明集成三极管的内部结构侧视图;

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