[发明专利]发光二极管的封装结构及其封装方法有效
申请号: | 200910110328.8 | 申请日: | 2009-10-27 |
公开(公告)号: | CN101719492A | 公开(公告)日: | 2010-06-02 |
发明(设计)人: | 程继金;王树全 | 申请(专利权)人: | 东莞市精航科技有限公司 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/00;H01L21/50;H01L21/56 |
代理公司: | 深圳市科吉华烽知识产权事务所 44248 | 代理人: | 朱晓光 |
地址: | 523325 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 结构 及其 方法 | ||
1.一种发光二极管的封装结构,包括:
一发光二极管支架;
发光二极管晶粒,所述发光二极管晶粒固定于所述发光二极管支架的底部平面上;
其特征在于:
所述发光二极管的封装结构还包括一透明框,所述透明框固定设置于所述发光二极管支架上,且所述透明框圈住所述固定于所述发光二极管支架上的发光二极管晶粒并使所述发光二极管晶粒处于所述透明框的中央;
含荧光粉体的封装胶体,所述含荧光粉体的封装胶体填充于所述发光二极管晶粒与所述透明框之间的空间内;且
所述含荧光粉体的封装胶体中处于上表面的含荧光粉体的封装胶体呈厚度均匀且轻微向下凹陷。
2.如权利要求1所述的发光二极管的封装结构,其特征在于:
所述透明框的高度大于所述发光二极管晶粒的高度;
所述透明框的框壁的厚度为0.1-1.0mm之间;
所述含荧光粉体的封装胶体的厚度在所述发光二极管晶粒侧壁与所述透明框内壁之间的厚度为0.1-1.0mm之间。
3.如权利要求1或2所述的发光二极管的封装结构,其特征在于:
所述透明框为玻璃材料透明框或透明胶体材料模压而成的透明框,且所述透明框的透光度为1.4以上。
4.如权利要求1所述的发光二极管的封装结构,其特征在于:
所述的发光二极管晶粒为一个;或
所述的发光二极管晶粒为多个,且所述多个发光二极管晶粒以所述发光二极管支架的底部平面中心为坐标,所述发光二极管晶粒在X轴及Y轴上规则排列。
5.如权利要求1所述的发光二极管的封装结构,其特征在于:
所述的发光二极管晶粒为一个;或
所述的发光二极管晶粒为多个,且所述多个发光二极管晶粒以所述发光二极管支架的底部平面中心为坐标,任意相邻两发光二极管晶粒在X轴及Y轴上错位排列。
6.一种发光二极管的封装方法,其特征在于:
所述发光二极管的封装方法包括如下步骤:
步骤一、固定发光二极管晶粒,将发光二极管晶粒固定连接于所述发光二极管支架的底部平面上;
步骤二、制备透明框,所述透明框的高度大于所述发光二极管晶粒的高度;
步骤三、固定安装透明框,即将所述制备好的透明框固定安装于所述发光二极管支架上;
步骤四、填充含荧光粉体的封装胶体,将含荧光粉体的封装胶体填充于所述透明框内并覆盖所述发光二极管晶粒;
步骤五、加热烘干,并使所述含荧光粉体的封装胶体的上表面呈厚度均匀且轻微向下凹陷。
7.根据权利要求6所述的发光二极管的封装方法,其特征在于:
所述制备透明框包括单个透明框独立制备、或者制备一定长度的透明框筒然后通过物理切割或者激光切割;并将所述透明框的框壁透光度达到1.4以上。
8.根据权利要求6所述的发光二极管的封装方法,其特征在于:
所述步骤一所述的发光二极管晶粒为多个,且所述多个发光二极管晶粒以所述发光二极管支架的底部平面中心为坐标,任意相邻两发光二极管晶粒在X轴及Y轴上规则排列或错位排列。
9.根据权利要求6所述的发光二极管的封装方法,其特征在于:
所述步骤五中含荧光粉体的封装胶体的厚度在所述发光二极管晶粒与所述透明框内壁之间的厚度为0.1-1.0mm之间。
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