[发明专利]一种过温保护电路及开关电源电路

说明书

技术领域

本发明属于开关电源领域，尤其涉及一种过温保护电路及开关电源电路。 

背景技术

图1示出了现有技术提供的过温保护电路的具体电路，为了便于说明，仅示出了与过温保护电路相关的部分；过温保护电路包括：比较电路U7、可调分路调节器U8以及一些电阻和电容；其中，电阻R11与电阻R12串联连接，电阻R11与电阻R12的串联连接端通过电容C11接地，电阻R11与电阻R12的串联连接端还通过电阻R13与比较电路U7中比较器A1的反向输入端-连接；电阻R11的非串联连接端连接至可调分路调节器U8的输出端，电阻R12的非串联连接端接地；电阻R16、电阻R17以及电阻R18依次串联连接在可调分路调节器U8的输出端与CTRL端之间，电阻R17和电阻R18的串联连接端连接至比较电路U7中比较器A1的输出端(即比较电路U7的第1脚)，电阻R16和电阻R17的串联连接端连接至比较电路U7中比较器A1的正向输入端+；可调分路调节器U8的地端接地，可调分路调节器U8的输入端通过电阻R14连接至电源VCC，可调分路调节器U8的输入端还通过电阻R15接地，可调分路调节器U8的输入端同时还连接至可调分路调节器U8的输出端；电容C12的一端连接至可调分路调节器U8的输出端，电容C12的另一端接地；比较电路U7的第8脚连接电源VCC。 

现有的过温保护电路采用比较电路U7、可调分路调节器U8以及一些电阻和电容组成一个迟滞比较电路，产生一个有效电平并控制其它电路；由于采用了集成运算放大器组成的比较电路U7，因此整个电路的成本较高，占用空间大；同时由于集成运算放大器的输出电压精度差导致过温保护电路中的保护温度的 精度不好控制，温度范围也不便于调试。 

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种过温保护电路，旨在解决现有的过温保护电路成本高、占用空间大、保护温度的精度不好控制以及温度范围不便于调试的问题。 

本发明实施例是这样实现的，一种过温保护电路，所述过温保护电路包括：可调分路调节器、开关管、限流电阻R4、限流电阻R6、偏置电阻R7、在第二电源VIN与地之间依次串联连接的分压电阻R1、温度传感器RT以及分压电阻R3；所述可调分路调节器的输入端连接至所述分压电阻R1与所述温度传感器RT的串联连接端，所述可调分路调节器的地端接地；所述限流电阻R4的一端连接至第一电源VCC，所述限流电阻R4的另一端连接至所述可调分路调节器的输出端；所述开关管的第一端连接至所述温度传感器RT与所述分压电阻R3的串联连接端，所述开关管的第二端接地，所述开关管的控制端通过所述限流电阻R6连接至所述可调分路调节器的输出端，所述开关管的控制端还通过所述偏置电阻R7接地；所述开关管的控制端用于控制所述开关管的第一端和第二端之间导通或关断。 

其中，所述温度传感器RT为热敏电阻。 

其中，所述开关管为三极管，所述三极管的基极通过所述限流电阻R6连接至所述可调分路调节器的输出端，所述三极管的发射极接地，所述三极管的集电极连接至所述温度传感器RT与所述分压电阻R3的串联连接端。 

其中，所述三极管为NPN型三极管。 

其中，所述开关管为MOS管，所述MOS管的栅极通过限流电阻R6连接至可调分路调节器的输出端，所述MOS管的源极接地，所述MOS管的漏极连接至所述温度传感器RT与所述分压电阻R3的串联连接端。 

其中，所述过温保护电路还包括：滤波电容C1，所述滤波电容C1的一端连接至所述温度传感器RT与所述分压电阻R1的串联连接端以及所述可调分路调节器的输入端，所述滤波电容C1的另一端接地。

其中，所述过温保护电路还包括：限流电阻R5，所述限流电阻R5的一端连接至所述可调分路调节器的输出端与限流电阻R4连接的连接端，所述限流电阻R5的另一端通过所述限流电阻R6连接至所述开关管的控制端。 

其中，所述第一电源为低压电源，所述第二电源为直流电压。 

其中，所述可调分路调节器为TL431芯片。 

本发明实施例的目的还在于提供一种开关电源电路，所述开关电源电路包括上述过温保护电路。 

本发明实施例提供的过温保护电路将温度传感器感应到的环境温度与设定的阈值温度进行比较，根据比较结果控制可调分路调节器的通断以及开关管的通断，输出过温保护控制信号从而实现过温迟滞保护；该电路结构简单、成本低、占用空间小；同时提高了保护温度的控制精度，便于调试。 

附图说明