[发明专利]一种欠压保护电路及LED驱动电路

权利要求书

1.一种欠压保护电路，其特征在于，所述欠压保护电路包括：

可调分路调节器、分压取样电路、开关管、第一限流电阻、第二限流电阻 以及偏置电阻；

所述可调分路调节器的输入端连接至所述分压取样电路的第一输出端，所 述可调分路调节器的地端接地；

所述第一限流电阻的一端连接至第一电源，所述第一限流电阻的另一端连 接至所述可调分路调节器的输出端；

所述分压取样电路的输入端连接第二电源，所述分压取样电路的第二输出 端连接至所述开关管的第一端；

所述开关管的第二端接地，所述开关管的控制端通过所述第二限流电阻连 接至所述可调分路调节器的输出端，所述开关管的控制端还通过所述偏置电阻 接地；

所述分压取样电路包括：

依次串联连接在第二电源与地之间的第一分压电阻第二分压电阻以及第 三分压电阻；

所述第一分压电阻与所述第二分压电阻的串联连接端作为所述分压取样电 路的第一输出端连接至所述可调分路调节器的输入端；

所述第二分压电阻与所述第三分压电阻的串联连接端作为所述分压取样电 路的第二输出端连接至所述开关管的第一端。

2.如权利要求1所述的欠压保护电路，其特征在于，所述开关管为三极管， 所述三极管的基极通过所述第二限流电阻连接至所述可调分路调节器的输出 端，所述三极管的发射极接地，所述三极管的集电极连接至所述分压取样电路 的第二输出端。

3.如权利要求2所述的欠压保护电路，其特征在于，所述三极管为NPN 型三极管。

4.如权利要求1所述的欠压保护电路，其特征在于，所述开关管为MOS 管，所述MOS管的栅极通过第二限流电阻连接至可调分路调节器的输出端， 所述MOS管的源极接地，所述MOS管的漏极连接至分压取样电路的第二输出 端。

5.如权利要求1所述的欠压保护电路，其特征在于，所述欠压保护电路还 包括：滤波电容，所述滤波电容的一端连接至所述可调分路调节器的输入端与 分压取样电路的第一输出端连接的连接端，所述滤波电容的另一端接地。

6.如权利要求1所述的欠压保护电路，其特征在于，所述欠压保护电路还 包括：第三限流电阻，所述第三限流电阻的一端连接至所述可调分路调节器的 输出端与第一限流电阻连接的连接端，所述第三限流电阻的另一端通过所述第 二限流电阻连接至所述开关管的控制端。

7.如权利要求1所述的欠压保护电路，其特征在于，所述第一电源为低压 电源，所述第二电源为直流电压。

8.如权利要求1所述的欠压保护电路，其特征在于，所述可调分路调节器 为TL431芯片。

9.一种LED驱动电路，其特征在于，所述LED驱动电路包括权利要求 1-8任一项所述的欠压保护电路。