[发明专利]一种降低激光相干性的方法及其位相调制器无效
申请号: | 200910110898.7 | 申请日: | 2009-01-14 |
公开(公告)号: | CN101498847A | 公开(公告)日: | 2009-08-05 |
发明(设计)人: | 吴砺;陈燕平;马英俊;凌吉武 | 申请(专利权)人: | 福州高意通讯有限公司 |
主分类号: | G02F1/035 | 分类号: | G02F1/035;G02F1/055 |
代理公司: | 厦门市诚得知识产权代理事务所 | 代理人: | 方惠春;黄国强 |
地址: | 350014福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 降低 激光 相干性 方法 及其 位相 调制器 | ||
1.一种降低激光相干性的方法,其特征在于:通过调制频率足够高的位相调制器来调制激光相位,使其发生无序的改变,从而降低激光的相干性。
2.根据权利要求1所述的降低激光相干性的方法,其特征在于:所述的调制是横向电光调制效应。
3.根据权利要求1所述的降低激光相干性的方法,其特征在于:所述的调制周期远小于所述激光的相干时间。
4.一种位相调制器,其特征在于:所述的位相调制器是电光位相调制器,电光晶体采用波导结构。
5.根据权利要求4所述的位相调制器,其特征在于:所述的波导结构是所述的电光晶体的上下、左右四个侧面均被折射率低于电光晶体的衬底材料或胶层包围,并在上下两个侧面镀超薄金属膜或导电膜作电极,而形成波导结构。
6.根据权利要求4所述的位相调制器,其特征在于:所述的波导结构是所述的电光晶体的上下两个侧面为胶层、深化光胶层、衬底材料及超薄金属膜或导电膜包围,另外两个侧面为空气,而形成波导结构。
7.根据权利要求4或5或6所述的位相调制器,其特征在于:所述的电光晶体可为双折射电光晶体,也可为各向同性的电光陶瓷。
8.根据权利要求4所述的位相调制器,其特征在于:通过调制入射光的偏振方向或相位来改变入射光的相位差。
9.根据权利要求4-7任一权利要求所述的位相调制器,其特征在于:所述的位相调制器采用透镜或柱面透镜对入射光束进行聚焦或准直。
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