[发明专利]氮化物分布布拉格反射镜及其制备方法无效
| 申请号： | 200910110946.2 | 申请日： | 2009-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN101478115A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 张保平;尚景智 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/125;H01S5/028;H01L33/00;H01L21/205 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 分布 布拉格 反射 及其 制备 方法 | ||
1.氮化物分布布拉格反射镜，其特征在于设有蓝宝石衬底，在蓝宝石C面衬底表面生长GaN缓冲层，在GaN缓冲层上生长由GaN层和氮化铝层构成的分布布拉格反射镜，其中AlN或/和GaN中掺入铟。
2.如权利要求1所述的氮化物分布布拉格反射镜的制备方法，其特征在于其具体步骤为：
先对蓝宝石C面衬底进行热处理，然后在H2气氛下生长GaN成核层，再升温至1025～1045℃，生长GaN缓冲层；再生长5～30nm的AlN缓冲层，随后升温使AlN层重新结晶；最后在N2气氛下重复交替生长AlN层和GaN层制备DBR，其中AlN层和GaN层中的一种或两种在生长时掺入铟。
3.如权利要求2所述的氮化物分布布拉格反射镜的制备方法，其特征在于对蓝宝石C面衬底进行热处理的温度为1050～1150℃。
4.如权利要求2所述的氮化物分布布拉格反射镜的制备方法，其特征在于热处理的时间为10min。
5.如权利要求2所述的氮化物分布布拉格反射镜的制备方法，其特征在于GaN成核层的厚度为25nm。
6.如权利要求2所述的氮化物分布布拉格反射镜的制备方法，其特征在于GaN缓冲层的厚度为1.2μm。
7.如权利要求2所述的氮化物分布布拉格反射镜的制备方法，其特征在于再生长5～30nm的AlN缓冲层的温度为535℃。
8.如权利要求2所述的氮化物分布布拉格反射镜的制备方法，其特征在于掺入铟的量按质量百分比小于AlN层或/和GaN层的10％。
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