[发明专利]消倍频晶体波片效应的腔内倍频激光器有效

专利信息
申请号: 200910110970.6 申请日: 2009-01-22
公开(公告)号: CN101540471A 公开(公告)日: 2009-09-23
发明(设计)人: 吴砺;卢秀爱;邱英;马英俊;陈卫民;凌吉武 申请(专利权)人: 福州高意通讯有限公司
主分类号: H01S3/109 分类号: H01S3/109;H01S3/091;H01S3/106;H01S3/108;H01S3/10
代理公司: 厦门市诚得知识产权代理事务所 代理人: 方惠春;黄国强
地址: 350014福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 倍频 晶体 效应 激光器
【权利要求书】:

1.消倍频晶体波片效应的腔内倍频激光器,包括泵浦光源、激光增益介质、倍频晶体和谐振腔镜,所述的激光增益介质是双折射晶体激光增益介质,所述的倍频晶体是II类倍频晶体,且两种晶体通光方向光轴夹角为45°,其特征在于:在所述的激光增益介质和倍频晶体之后加入一个波片,所述的波片为基频光的1/4波片,其光轴与所述的激光增益介质平行,与所述的倍频晶体光轴夹角为45°。

2.消倍频晶体波片效应的腔内倍频激光器,包括泵浦光源、激光增益介质、倍频晶体和谐振腔镜,所述的激光增益介质是双折射晶体激光增益介质,所述的倍频晶体是II类倍频晶体,且两种晶体通光方向光轴夹角为45°,其特征在于:在所述的激光增益介质和倍频晶体之间加入一个波片,所述的波片为倍频光波长的1/4波片,其光轴与激光增益介质平行或垂直,该波片镀有对基频光增透、对倍频光高反的膜层;在所述的激光增益介质和倍频晶体之后加入一个波片,所述的波片为基频光的1/4波片,其光轴与所述的激光增益介质平行。

3.根据权利要求1或2任一所述的腔内倍频激光器,其特征在于:所述的激光器结构是分离腔结构。

4.根据权利要求1或2任一所述的腔内倍频激光器,其特征在于:所述的激光器结构是微片结构。

5.根据权利要求4所述的腔内倍频激光器,其特征在于:所述的微片结构腔内的激光增益介质的任意一侧面加入非掺杂材料的散热衬片。

6.根据权利要求5所述的腔内倍频激光器,其特征在于:所述的散热衬片是与所述的激光增益介质相同的基质,或者是不同基质。

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