[发明专利]一种无机化合物和该无机化合物作为N型掺杂物的有机半导体制成的电子器件及其制造方法

权利要求书

1.一种用作有机半导体N型掺杂物的无机化合物，其特征在于：结构式为A_xB_yC_z，A为第I主族或第II主族元素，B为第III主族元素或第V主族元素，C为氢元素；1≤x≤2，y∈[0，1]，1≤z≤4。在有机半导体材料中掺入合适比例的该类无机化合物可以显著改善有机半导体的导电能力。

2.如权利要求1所述一种用作有机半导体N型掺杂物的无机化合物，其特征在于：所述化合物A_xB_yC_z为KH、LiH、Li₂NH₂、Li₂NH、LiBH₄、NaBH₄、KBH₄、KAlH₄中的一种或者几种。

3.如权利要求1所述一种用作有机半导体N型掺杂物的无机化合物，其特征在于：所述有机半导体材料为喹啉类金属配和物(8-羟基喹啉铝、8-羟基喹啉铍、8-羟基喹啉锂等)、酞氰类金属配合物(酞氰铜、酞氰锌、锕系金属的酞氰配合物等)、卟啉类金属配和物(卟啉铜、卟啉锌、卟啉铈、卟啉镨等)、2-(2-甲基-1，8-羟基喹啉)锂、2-(2-甲基-1，8-羟基喹啉)铝、2-(2-甲基-1，8-羟基喹啉)铍、2-(2-羟基苯基)-5-苯基噁唑铝、2-(2-羟基苯基)-5-苯基噁唑锌、1-苯基-2-(2-羟基苯基)苯并咪唑铝、1-苯基-2-(2-羟基苯基)苯并咪唑锌、2-(4-二苯基)-5-(4-叔丁苯基)-1，3，4-噁二唑，2，5-双-(4-萘基)-1，3，4-噁二唑、1，3，5-三(N-苯基-2-苯并咪唑-2)苯、4，7-二苯基-1，10-邻菲罗林，2，9-二甲基-4，7二苯基-1，10-邻菲罗林中的一种或者几种。

4.如权利要求1、2或3所述一种用作有机半导体N型掺杂物的无机化合物，其特征在于：所述的化合物在有机半导体材料中的掺杂比例为0.01％-30％。

5.如权利要求4所述一种用作有机半导体N型掺杂物的无机化合物，其特征在于：所述的化合物在的有机半导体材料中的掺杂比例为0.1％-7％。

6.一种该无机化合物作为N型掺杂物的有机半导体制成的电子器件，其特征在于：所述的电子有效区域使用至少一种或多种无机化合物A_xB_yC_z，A为第I主族或第II主族元素，B为第III主族元素或第V主族元素，C为氢元素；1≤x≤2，y∈[0，1]，1≤z≤4。

7.如权利要求6所述一种该无机化合物作为N型掺杂物的有机半导体制成的电子器件，其特征在于：所述有机半导体材料为喹啉类金属配和物(8-羟基喹啉铝、8-羟基喹啉铍、8-羟基喹啉锂等)、酞氰类金属配合物(酞氰铜、酞氰锌、锕系金属的酞氰配合物等)、卟啉类金属配和物(卟啉铜、卟啉锌、卟啉铈、卟啉镨等)、2-(2-甲基-1，8-羟基喹啉)锂、2-(2-甲基-1，8-羟基喹啉)铝、2-(2-甲基-1，8-羟基喹啉)铍、2-(2-羟基苯基)-5-苯基噁唑铝、2-(2-羟基苯基)-5-苯基噁唑锌、1-苯基-2-(2-羟基苯基)苯并咪唑铝、1-苯基-2-(2-羟基苯基)苯并咪唑锌、2-(4-二苯基)-5-(4-叔丁苯基)-1，3，4-噁二唑，2，5-双-(4-萘基)-1，3，4-噁二唑、1，3，5-三(N-苯基-2-苯并咪唑-2)苯、4，7-二苯基-1，10-邻菲罗林，2，9-二甲基-4，7二苯基-1，l0-邻菲罗林中的一种或者几种。

8.如权利要求6或7所述一种该无机化合物作为N型掺杂物的有机半导体制成的电子器件，其特征在于：所述的电子器件形式为有机整流二极管、有机场效应晶体管或者有机光电子器件。

9.如权利要求8所述电子器件的制备方法，其特征在于：所述的化合物A_xB_yC_z掺杂剂的制备方法为真空蒸镀法。

10.如权利要求6或7的电子器件的制备方法，其特征在于：碱金属氢化物掺杂剂的制备方法为真空蒸镀Li₂NH₂、Li₂NH、LiBH₄、NaBH₄、KBH₄、KAlH₄。