[发明专利]黄铜矿类铜铟镓的硒化物或硫化物半导体薄膜材料的制备方法

权利要求书

1.黄铜矿类铜铟镓的硒化物或硫化物半导体薄膜材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1)用真空磁控溅射，加热蒸发或化学水浴电沉积法在钠钙玻璃Mo衬底上分步依次沉积化学式配比量的Cu、In、Ga金属预制层；

2)将惰性载源气N₂与H₂，或惰性载源气Ar与H₂混合，得混合气体，按体积百分比，H₂的含量为惰性载源气与H₂总量的26％～55％；

3)将混合气体通入气固反应室，反应室分成两个区域，固态硒或硫升华区保证H₂/N₂或H₂/Ar气体与硒或硫蒸气混合；热丝催化气固反应区使H₂与硒或硫蒸气反应，生成气态H₂Se/Se或H₂S/S的混合气氛，再与Cu、In、Ga金属预制层进行热反应硒化或硫化，得黄铜矿类铜铟镓的硒化物或硫化物半导体薄膜材料，所述热丝的温度为400～800℃，热丝的孔径为1.2～2.5mm，硒化或硫化反应的温度为400～550℃，硒化或硫化反应的时间为10～60min。

2.如权利要求1所述的黄铜矿类铜铟镓的硒化物或硫化物半导体薄膜材料的制备方法，其特征在于所述气固反应室采用石英管或铝管，在石英管或铝管外采用加热丝加热。

3.如权利要求2所述的黄铜矿类铜铟镓的硒化物或硫化物半导体薄膜材料的制备方法，其特征在于所述加热的温度为210～300℃。

4.如权利要求1所述的黄铜矿类铜铟镓的硒化物或硫化物半导体薄膜材料的制备方法，其特征在于所述固态硒或硫升华区采用石墨或钨坩埚加热，加热温度为300～350℃。

5.如权利要求1所述的黄铜矿类铜铟镓的硒化物或硫化物半导体薄膜材料的制备方法，其特征在于所述热丝为钨丝、铂丝或铂铑合金丝。

6.如权利要求1所述的黄铜矿类铜铟镓的硒化物或硫化物半导体薄膜材料的制备方法，其特征在于所述硒化或硫化反应采用预抽真空的单腔室硒化或硫化反应炉，或连续式硒化或硫化反应炉。