[发明专利]AlN生长面复合基底的制备方法以及氮化物半导体器件

权利要求书

1.AlN生长面复合基底的制备方法，其特征在于其具体步骤为：

将衬底放置于化学气相沉积装置中，在衬底上生长AlN外延层，得具有AlN生长面的AlN生长面复合基底。

2.如权利要求1所述的AlN生长面复合基底的制备方法，其特征在于所述衬底为蓝宝石、碳化硅或硅。

3.如权利要求1所述的AlN生长面复合基底的制备方法，其特征在于在衬底上生长AlN外延层的温度为500～1500℃。

4.如权利要求1所述的AlN生长面复合基底的制备方法，其特征在于AlN外延层的厚度为100nm～20μm。

5.氮化物半导体器件，其特征在于设有AlN生长面复合基底、过渡层和氮化物半导体器件结构材料层；过渡层生长在AlN生长面复合基底上，过渡层由含Al的氮化物材料Al_xIn_yGa_(1-x-y)N组成，其中0<x≦1，0≦y≦1，氮化物半导体器件结构材料层生长在过渡层上，氮化物半导体器件结构材料层包含n型层、发光或吸收功能结构层和p型层，氮化物半导体器件结构材料层的成分含有Al_xIn_yGa_(1-x-y)N，其中0≦x≦1，0≦y≦1；

其中，AlN生长面复合基底是权利要求1所述的AlN生长面复合基底的制备方法制备的AlN生长面复合基底。