[发明专利]一种芯片式铷灯

权利要求书

1.一种芯片式铷灯，其特征在于为三层结构，从上至下设有上层玻璃片、中层硅片和下层硅片，在中层硅片中央设有一个通孔，在通孔的一边上设有沟道，通孔经沟道与外部连通，在下层硅片底面设有电感线圈，电感线圈两端分别设有接头，两接头外接射频电源；将上层玻璃片、中层硅片与下层硅片的上表面键合成一片芯片，中层硅片中央的通孔与上层玻璃片和下层硅片之间构成的腔体内充入铷-87与惰性气体。

2.如权利要求1所述的一种芯片式铷灯，其特征在于所述中层硅片两侧面的上层玻璃片和下层硅片的外形和尺寸均与中层硅片相同。

3.如权利要求1或2所述的一种芯片式铷灯，其特征在于所述中层硅片为方形硅片或圆形硅片；中层硅片的厚度为0.1～2mm，方形硅片的边长为3～30mm，圆形硅片的直径为3～30mm。

4.如权利要求1或2所述的一种芯片式铷灯，其特征在于上层玻璃片为方形玻璃片或圆形玻璃片，方形玻璃片的边长为3～30mm，圆形玻璃片的直径为3～30mm。

5.如权利要求1所述的一种芯片式铷灯，其特征在于下层硅片为方形硅片或圆形硅片，方形硅片的边长为3～30mm，圆形硅片的直径为3～30mm。

6.如权利要求1所述的一种芯片式铷灯，其特征在于所述通孔为方形通孔或圆形通孔，方形通孔的边长为2～15mm，圆形通孔的直径为2～15mm。

7.如权利要求1所述的一种芯片式铷灯，其特征在于上层玻璃片的厚度与中层硅片的厚度相同，下层硅片的厚度与中层硅片的厚度相同。

8.如权利要求1所述的一种芯片式铷灯，其特征在于电感线圈的线条宽度为1～300μm，线条高度为1～200μm，线条间距为1～100μm。

9.如权利要求1所述的一种芯片式铷灯，其特征在于所述沟道的横截面为三角形、方形、梯形或圆形，三角形、方形、梯形的每边边长为0.1～2mm，圆形的直径为0.1～2mm。

10.如权利要求1所述的一种芯片式铷灯，其特征在于充入的铷-87的量为0.1～10mg，充入的惰性气体的气压为10～300Tor。