[发明专利]一种半导体金属氧化物光催化剂及其制备方法和用途有效
| 申请号： | 200910111553.3 | 申请日： | 2009-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN101869848A | 公开（公告）日： | 2010-10-27 |
| 发明（设计）人： | 高水英;曹荣 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | B01J31/16 | 分类号： | B01J31/16;B01J31/18;B01J31/02;B01J21/06;B01J23/30;B01J37/00;A62D3/17;A62D101/28;A62D101/26;A62D101/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 金属 氧化物 光催化剂 及其 制备 方法 用途 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体金属氧化物催化剂，包括半导体金属氧化物和薄膜，其特征在于：其薄膜包含杂多酸阴离子XW12O40n-(X＝B或Si或P或Ge)和硫堇复合薄膜。
2.如权利要求2所述的半导体金属氧化物，其特征在于：所述的半导体金属氧化物为二氧化钛或三氧化钨。
3.一种权利要求1所述的半导体金属氧化物催化剂的制备方法，其特征在于：采用层层自组装方法制备。
4.一种权利要求1所述的半导体金属氧化物催化剂用于降解有机染料。
5.如权利要求4所述的半导体金属氧化物催化剂的用途，其特征在于：所述的有机染料为甲基橙或罗丹明B，或与前述染料分子具有相同生色团的有机染料。
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