[发明专利]一种吨级晶体生长槽磷酸二氢钾饱和溶液亚稳区宽度测量方法无效
| 申请号： | 200910111598.0 | 申请日： | 2009-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN101876574A | 公开（公告）日： | 2010-11-03 |
| 发明（设计）人： | 李国辉;苏根博;林秀钦;李征东;庄欣欣 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | G01K13/00 | 分类号： | G01K13/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体生长 磷酸 二氢钾 饱和溶液 亚稳区 宽度 测量方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种吨级晶体生长槽磷酸二氢钾饱和溶液亚稳区宽度测量方法，其特征在于：在配料槽中，加入KDP粉料，再加入经过密理博超纯过滤系统过滤形成的超纯水，升温、高速搅拌配制成饱和KDP生长溶液后，用吊晶法精确测量饱和溶液的饱和温度；饱和溶液过热恒温24小时，过滤导入装有快速生长载晶架的晶体生长槽中，载晶架上不放籽晶，生长槽外水浴温度与饱和溶液过热温度相同；载晶架的转动模式与快速生长的转动模式相同，饱和溶液的降温模式与快速生长的降温模式相同；生长溶液温度降至饱和温度时，开始观察生长槽；当观察到生长槽内出现第一颗自发结晶时，记录下温度计读数，此温度与饱和温度差即为亚稳区宽度。
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