[发明专利]光学基片隐形图案的制备方法

权利要求书

1.光学基片隐形图案的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

一)、基片清洁后，将所需要的镂空图案模板贴于基片上，基片固定于治具然后放置于真空度抽至1x10^-5Torr到5x10^-5Torr的高真空机台内；

二)、通过离子束轰击镂空部分的基片表层，使镂空部分基片表层变薄，基片变薄部分比其他部分的折射率低，从而形成基片上隐形的图案。

2.根据权利要求1所述的光学基片隐形图案的制备方法，其特征在于：所述步骤二)中，所述的离子束是由离子枪发射，该离子束轰击基片的时间为3-15分钟，工作电流为三相，电压为220V。

3.根据权利要求1所述的光学基片隐形图案的制备方法，其特征在于：所述步骤一)中，所述的基片为压克力AC基片、聚碳酸酯Polycarbonate基片、尼龙Nylon基片、CR-39基片、玻璃基片中的任意一种。

4.根据权利要求1至3任一项光学基片隐形图案的制备方法制备的光学基片，其特征在于：所述的基片表层设有变薄部分，与其他部分的基片折射率不同，从而形成基片上隐形的图案。