[发明专利]具有超亲水性的聚吡咯微/纳米多级结构的制备方法

权利要求书

1.具有超亲水性的聚吡咯微/纳米多级结构的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1)以吡咯和高氯酸锂的水溶液为电解液，采用电化学法在预处理后的工作电极表面制备具有微米形貌的聚吡咯膜；

2)在由吡咯、高氯酸锂、形貌诱导剂和磷酸盐缓冲液组成的电解液中，采用电化学法在步骤1)制备的具有微米形貌的聚吡咯膜表面合成聚吡咯纳米线，所述形貌诱导剂为可溶性淀粉。

2.如权利要求1所述的具有超亲水性的聚吡咯微/纳米多级结构的制备方法，其特征在于在步骤1)中，所述工作电极为ITO导电玻璃，其面积为0.2～2cm²，电导率为0.1～1.0S·cm^-1。

3.如权利要求1所述的具有超亲水性的聚吡咯微/纳米多级结构的制备方法，其特征在于在步骤1)中，所述预处理是依次用去离子水、无水乙醇、去离子水超声清洗后烘干。

4.如权利要求1所述的具有超亲水性的聚吡咯微/纳米多级结构的制备方法，其特征在于在步骤1)中，按摩尔体积比，所述电解液中吡咯浓度为0.05～0.40mol/L，高氯酸锂浓度为0.04～0.20mol/L。

5.如权利要求1所述的具有超亲水性的聚吡咯微/纳米多级结构的制备方法，其特征在于在步骤1)中，所述电化学法指恒电位法、恒电流法或循环伏安法，当采用恒电位法时，电位施加范围为0.60～1.10V，施加时间为50～1800s；当采用恒电流法时，电流密度为0.6～10.0mA/cm²，施加时间为60～1800s；当采用循环伏安法时，电位扫描范围为0～1.1V，电位扫描速率为10～200mV/s，扫描周数为5～50周。

6.如权利要求1所述的具有超亲水性的聚吡咯微/纳米多级结构的制备方法，其特征在于在步骤2)中，按摩尔体积比，所述电解液中吡咯浓度为0.06～0.20mol/L，高氯酸锂浓度为0.04～0.10mol/L，磷酸盐缓冲液浓度为0.05～0.40mol/L，pH值为6.4～7.3。

7.如权利要求1所述的具有超亲水性的聚吡咯微/纳米多级结构的制备方法，其特征在于在步骤2)中，按质量百分比，在电解液中形貌诱导剂的浓度为0.005％～0.05％。

8.如权利要求1所述的具有超亲水性的聚吡咯微/纳米多级结构的制备方法，其特征在于在步骤2)中，所述电化学法指恒电位法、恒电流法或循环伏安法，当采用恒电位法时，电位施加范围为0.70～1.00V，施加时间为100～1800s；当采用恒电流法时，电流密度为0.6～10.0mA/cm²，施加时间为60～1800s；当采用循环伏安法时，电位扫描范围为0～1.1V，扫描速率为10～200mV/s，扫描周数为5～50周。