[发明专利]一种非晶硅氧化物纳米线的焊接方法无效
申请号: | 200910112085.1 | 申请日: | 2009-06-26 |
公开(公告)号: | CN101602484A | 公开(公告)日: | 2009-12-16 |
发明(设计)人: | 朱贤方;苏江滨;李论雄;吴燕;黄胜利;逯高清;王连洲 | 申请(专利权)人: | 厦门大学 |
主分类号: | B82B3/00 | 分类号: | B82B3/00;B23K28/00 |
代理公司: | 厦门南强之路专利事务所 | 代理人: | 马应森 |
地址: | 361005福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 非晶硅 氧化物 纳米 焊接 方法 | ||
1.一种非晶硅氧化物纳米线的焊接方法,其特征在于包括以下步骤:
1)TEM样品的准备:先从硅片衬底上刮下硅氧化物纳米线粉末,用有机溶剂分散,至形成颜色均匀的悬浮液时,再将含硅氧化物纳米线的有机溶液加到附有微栅碳膜的铜网上,静置,得TEM样品;
2)装样:将步骤1)得到的TEM样品放入样品座中固定好,然后将样品杆逐步推入到样品室中并对透射电镜抽真空,对样品中的硅氧化物纳米线进行观察分析;
3)纳米线的筛选:先在TEM低倍观察模式下对硅氧化物纳米线进行粗选,然后在较高倍数观察模式下对粗选的纳米线作进一步筛选,所述TEM低倍观察模式采用6000×下对硅氧化物纳米线进行粗选,所述较高倍数观察模式采用20000×~150000×下对粗选的纳米线作进一步筛选,其中一根两端固定,另一根两端固定或一端自由另一端固定,且两根非晶硅氧化物纳米线交叉重叠且交叉处位于微栅孔中;
4)纳米线的焊接:先在放大倍数20000×~150000×下用电镜附带的CCD拍下焊接前两纳米线尤其是交叉处的形貌;然后在相同放大倍数下对纳米线交叉处进行辐照,并实时拍照记录两纳米线尤其是交叉处的结构转变过程,在保持相同辐照条件下,不断重复“辐照-拍照”这一过程,直至最终实现两纳米线的焊接,所述辐照的电流密度为1~40A/cm2。
2.如权利要求1所述的一种非晶硅氧化物纳米线的焊接方法,其特征在于在步骤1)中,所述分散是在超声振动下用有机溶剂分散。
3.如权利要求1所述的一种非晶硅氧化物纳米线的焊接方法,其特征在于在步骤1)中,所述有机溶剂采用乙醇或丙酮。
4.如权利要求1所述的一种非晶硅氧化物纳米线的焊接方法,其特征在于在步骤2)中,透射电镜采用加速电压为300kV的Tecnai F30场发射透射电子显微镜。
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