[发明专利]一种提高铟掺杂氧化锌透明导电膜导电性能的方法无效

专利信息
申请号: 200910112271.5 申请日: 2009-07-29
公开(公告)号: CN101985741A 公开(公告)日: 2011-03-16
发明(设计)人: 曹永革;黄常刚;邓种华;王美丽 申请(专利权)人: 中国科学院福建物质结构研究所
主分类号: C23C14/58 分类号: C23C14/58;C23C14/08;C23C14/34;H01B5/14;H01L51/50
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 350002 *** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 提高 掺杂 氧化锌 透明 导电 性能 方法
【权利要求书】:

1.一种提高铟掺杂氧化锌透明导电膜导电性能的方法,其特征在于:该方法采用在真空状态下或往退火炉内充入一定量的惰性气体、氢气或他们的混合气体对IZO透明导电膜进行退火处理。

2.权利要求1所述的提高铟掺杂氧化锌透明导电膜导电性能的方法,其特征在于:该法涉及的退火气氛压强为10-4~105Pa,退火温度为80~600℃,根据不同加热方式和退火温度,退火时间为3秒~24小时。

3.权利要求1所述的提高铟掺杂氧化锌透明导电膜导电性能的方法,其特征在于:退火方式可采用电阻加热、微波加热、激光加热、电火花或电弧加热、中高频加热、等离子加热等加热方式,以达到预期的退火温度。

4.权利要求1所述的提高铟掺杂氧化锌透明导电膜导电性能的方法,其特征在于:所制备的IZO透明导电膜是采用磁控溅射方法在碱玻璃、石英玻璃、蓝宝石、氮化铝、氮化镓、碳化硅、氧化锌、硒化锌等透明衬底上制备,薄膜厚度为2~2000nm。

5.权利要求1所述的提高铟掺杂氧化锌透明导电膜导电性能的方法,其特征在于:所针对的IZO透明导电膜可以是采用氧化锌靶与氧化铟靶或金属铟靶共溅射制备,也可以是采用铟掺杂氧化锌复合靶单靶溅射制备,还可以采用锌靶和铟靶反应溅射制备或者采用锌、铟合金靶反应溅射制备。

6.权利要求1所述的提高铟掺杂氧化锌透明导电膜导电性能的方法,其特征在于:所针对的IZO透明导电膜中铟原子与铟原子和锌原子之和的原子比[In/(In+Zn)]≤50%。

7.权利要求1所述的提高铟掺杂氧化锌透明导电膜导电性能的方法,其特征在于:利用该种方法退火处理后的具有优异光电性能的IZO导电膜,可应用于太阳能电池、发光二极管、液晶显示LCD、触摸屏、晶体管、平板显示等。

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