[发明专利]一种提高铟掺杂氧化锌透明导电膜导电性能的方法无效
申请号: | 200910112271.5 | 申请日: | 2009-07-29 |
公开(公告)号: | CN101985741A | 公开(公告)日: | 2011-03-16 |
发明(设计)人: | 曹永革;黄常刚;邓种华;王美丽 | 申请(专利权)人: | 中国科学院福建物质结构研究所 |
主分类号: | C23C14/58 | 分类号: | C23C14/58;C23C14/08;C23C14/34;H01B5/14;H01L51/50 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 350002 *** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 掺杂 氧化锌 透明 导电 性能 方法 | ||
1.一种提高铟掺杂氧化锌透明导电膜导电性能的方法,其特征在于:该方法采用在真空状态下或往退火炉内充入一定量的惰性气体、氢气或他们的混合气体对IZO透明导电膜进行退火处理。
2.权利要求1所述的提高铟掺杂氧化锌透明导电膜导电性能的方法,其特征在于:该法涉及的退火气氛压强为10-4~105Pa,退火温度为80~600℃,根据不同加热方式和退火温度,退火时间为3秒~24小时。
3.权利要求1所述的提高铟掺杂氧化锌透明导电膜导电性能的方法,其特征在于:退火方式可采用电阻加热、微波加热、激光加热、电火花或电弧加热、中高频加热、等离子加热等加热方式,以达到预期的退火温度。
4.权利要求1所述的提高铟掺杂氧化锌透明导电膜导电性能的方法,其特征在于:所制备的IZO透明导电膜是采用磁控溅射方法在碱玻璃、石英玻璃、蓝宝石、氮化铝、氮化镓、碳化硅、氧化锌、硒化锌等透明衬底上制备,薄膜厚度为2~2000nm。
5.权利要求1所述的提高铟掺杂氧化锌透明导电膜导电性能的方法,其特征在于:所针对的IZO透明导电膜可以是采用氧化锌靶与氧化铟靶或金属铟靶共溅射制备,也可以是采用铟掺杂氧化锌复合靶单靶溅射制备,还可以采用锌靶和铟靶反应溅射制备或者采用锌、铟合金靶反应溅射制备。
6.权利要求1所述的提高铟掺杂氧化锌透明导电膜导电性能的方法,其特征在于:所针对的IZO透明导电膜中铟原子与铟原子和锌原子之和的原子比[In/(In+Zn)]≤50%。
7.权利要求1所述的提高铟掺杂氧化锌透明导电膜导电性能的方法,其特征在于:利用该种方法退火处理后的具有优异光电性能的IZO导电膜,可应用于太阳能电池、发光二极管、液晶显示LCD、触摸屏、晶体管、平板显示等。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院福建物质结构研究所,未经中国科学院福建物质结构研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910112271.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类